企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司电池片的制作工艺振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，招标拆卸组件回收，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。影响因素1．频率射频PECVD系统大都采用50kHz~13.56MHz的工业频段射频电源。较高频率（gt;4MHz）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。2．射频功率增加RF功率通常会改善SiN膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过1W/cm2时器件会造成严重的射频损伤。3．衬底温度PECVD膜的沉积温度一般为250～400℃。这样能保证氮化硅薄膜在HF中有足够低的腐蚀速率，抵债拆卸组件回收，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于200℃下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于450℃时膜容易龟裂。4．气体流量影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是SiH4。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20（体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。5．反应气体浓度SiH4的百分比浓度及SiH4/NH3流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。理想Si3N4的Si/N＝0.75，而PECVD沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成SiN。因此，必须控制气体中的SiH4浓度，不宜过高，并采用较高的SiN比。除了Si和N外，PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHZ或SiNx:H。6．反应压力、和反应室尺寸等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。电池片的检验振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，2手，旧，工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，***限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。一14、漏浆***：漏浆单独总面积低于0.5*0.5mm，总数低于3个B级：跑模单独总面积低于1。0*1.0mm总数不分C级：跑模单独总面积低于1。0*2。0mm总数不分缺点/报废片：超过C级片的规定为缺点片，超过缺点片规定的为报费片。注：（1）在一切正常包装印刷图型处时，依照“包装印刷图型”要求分辨，没有包装印刷图型处时依照以上要求辨别。（2）跑模在背静电场或背电级时，依据铝苞要求分辨（3）跑模在侧边时，假如影象电池片电气性能和外型时，则返修后再次归类检验，随后再次判断，假如不危害电池片电气性能和外型的时候一切正常排出（4）硅晶掉下来按跑模总面积判断新的规范：与旧的规范同样侧边漏浆片做打磨抛光片解决打磨抛光片处理过程非铝苞片：一概出口（不Rsh≥6）零头和满包全入出口货位备注名称：DM选用黄标识铝苞片：暂未作自购片待产品研发作部件实验（Rsh≥6）零头入铝苞零头货位满包入铝苞满包货位备注名称：DMLB选用白标识振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，汕尾拆卸组件，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，滞销拆卸组件回收，2手，旧，工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，***限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。电池片的检测一、检测的标准1．高于800LX的直射下，间距电池片30-50cm的间距，看着方位垂直平分电池片表层观查。二、检测的方式1、取放电池片时要轻拿小心轻放，125的电池片维持在1-2的检验速率，150及156的电池片要一整片一整片的开展查验。三、检验新项目1．色调偏色2．绒面色素斑3．亮斑4．裂痕、裂缝及破孔5．弯折的6．崩边、豁口、掉角7．印刷偏位8．TTV9．铝珠、铝苞10．包装印刷图型11．跑模12．尺寸汕尾拆卸组件-抵债拆卸组件回收-振鑫焱光伏科技(推荐商家)由苏州振鑫焱光伏科技有限公司提供。苏州振鑫焱光伏科技有限公司（）是江苏苏州,太阳能及再生能源的企业，多年来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在振鑫焱光伏科技***携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创振鑫焱光伏科技更加美好的未来。同时本公司（）还是从事太阳能板回收，太阳能电池板板回收，光伏太阳能板回收的厂家，欢迎来电咨询。)