若将反应气体导入蒸发空间，便可在工件表面沉积金属化合物涂层，这就是反应性离子镀。由于采用等离子活化，工件只需在较低温度甚至在室温下进行镀膜，完全保证零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序进行。如沉积TiN或TiC时，基体温度可以在150-600℃范围内选择，温度高时涂层的硬度高，与基体的结合力也高。基体温度可根据基体材料及其回火温度选择，如基体为高速钢，可选择560℃，这样，对于经淬火、回火并加工到尺寸的模具加工，无需担心基体硬度降低及变形问题。另外，离子镀的沉积速度较其他气相沉积方法快，得到10mm厚的TiC或TiN涂层，一般只需要几十分钟。在今天，讨论化学气相沉积与物***相沉积的不同点，恐怕只剩下用于镀膜物料形态的区别，前者是利用易挥发性化合物或气态物质，而后者则利用固相(或液相)物质。这种区分似乎已失去原来定义的内涵实质。我们仍然按照已有的习惯，主要以上述镀料形态的区别来区分化学气相沉积和物***相沉积，把固态(液态)镀料通过高温蒸发、溅射、电子束、等离子体、离子束、激光束、电弧等能量形式产生气相原子、分子、离子(气态，等离子态)进行输运，在固态表面上沉积凝聚(包括与其他反应气相物质进行化学反应生成反应产物)，生成固相薄膜的过程称为物***相沉积。化学气相沉积TiN将经清洗、脱脂和氨气还原处理后的模具工件，置于充满H2（体积分数为99.99%）的反应器中，加热到900-1100℃，通入N2（体积分数为99.99%）的同时，并带入气态TiCl4（质量分数不低于99.0%）到反应器中，则在工件表面上发生如下化学反应：2TiCl4（气）N2（气）4H2（气）→2TiN（固）8HCl（气）固态TiN沉积在模具表面上形成TiN涂层，厚度可达3-10μm，副产品HCl气体则被吸收器排出。工艺参数的控制如下：（1）氮氢比对TiN的影响一般情况下，氮氢体积比VN2/VH2lt;1/2时，随着N2的增加，TiN沉积速率增大，涂层显微硬度增大；当VN2/VH2≈1/2时，沉积速率和硬度达到值；当VN2/VH2gt;1/2时，沉积速率和硬度逐渐下降。当VN2/VH2≈1/2时，所形成的TiN涂层均匀致密，晶粒细小，硬度，涂层成分接近于化学当量的TiN，而且与基体的结合牢固。因此，VN2/VH2要控制在1/2左右。关于PVD工艺，常见的气态表面涂覆方法是蒸发和溅射。这些技术允许在非常低的压力下从目标中提取颗粒，然后将其沉积并沉积到基板上。蒸发过程中使用的反应器需要高真空压力值。通常，这些特征和参数具有较低的原子能和较少的气体吸附到涂层沉积物中。结果，与溅射技术相比，具有较大晶粒的颗粒的转移导致公认的较小的颗粒对基底的粘附性。在沉积过程中，一些污染物颗粒从熔化的涂料中释放出来并移动到基材上，从而降低了所得涂层的纯度。因此，尽管与溅射工艺相比，该技术具有更高的沉积速率，但是蒸发工艺通常用于具有较低表面形态要求的较厚的薄膜和涂层。)