如何检测元件有老化的现象？数据采集后，后台软件自动及时绘出相应图表，以方便现场判断使用。半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。何谓半导体元件的参数？对元件使用上有何重要性？中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。?航空、电子信息等领域——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；?机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对?现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；?水力、电力控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新?型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，?以确保出厂产品的稳定性、可靠性。?优势行业：电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。5、***负载5.1有效电感L1002005001000μH；5.2电流Ic100010001000500A；外部电感成阵列的内部连接。（外部电感的H值传给PC，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。6、标准的双控制极驱动6.1门极电阻可人工预先设定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；6.2开启（Trun-ON）输出电压Vge：15V；6.3关断（Trun-ON）输出电压Vge-：-15V；6.4脉宽：10~1000us（单脉冲、双脉冲总时间）；6.5电压开关时间：6.6输出内阻：其中：Vcc试验电压源±VGG栅极电压C1箝位电容Q1陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管）L负载电感：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换IC集电极电流取样电流传感器DUT被测器件关断时间采用单脉冲测试，由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，开关被测器件DUT一次，被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和，同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE，记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。2IGBT模块动态测试参数及指标测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足国际标准IEC60747-9以及IEC60747-2。)