CBB电容和CL电容之间的区别分析损耗：CBB电容和CL电容在外形上差别不大，但在损耗这一电性能上差别较大。涤纶电容器的损耗较大，在1kHz时典型值约为50×10-4，与纸介电容器相当。聚电容器的损耗(1kHz)，指标大约是10×10-4，实际上一般小于5×10-4，约为涤纶电容器的十分之一。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。X电容：由于这个电容连接的位置也比较关键,同样需要符合相关安全标准。。。。。。。。虽然人们普遍认为cbb电容器是解决噪声相关问题的灵丹妙药，但是cbb电容器的价值并不仅限于此。设计人员常常只想到添加几个电容就可以解决大多数噪声问题，但却很少去考虑电容和电压额定值之外的参数。然而，与所有电子器件一样，cbb电容并不是十全十美的，相反，电容会带来寄生等效串联电阻和电感的问题，其电容值会随温度和电压而变化，而且电容对机械效应也非常敏感。薄膜电容厂家和大家浅谈你不知道的薄膜电容的特性薄膜电容器的容抗薄膜电容器对交流电有特殊的电阻特性，称为容抗。探索薄膜电容的应用薄膜电容又称CBB电容，它有聚膜和聚酯膜两种介质分类，聚膜的特性是高频损耗极低、电容量稳定性很高、负温度系数较小、绝缘电阻极高、介质吸收系数极低、自愈性好、介电强度,如CBB11,CBB13,CBB21,CBB62,CBB81等。CBB21是金属化，环氧树脂封装，应用用途很广；CBBS适用于彩电S校正电路；CBB13是金属箔式的，适用于高频和脉动电路；CBB电容和CL电容之间的区别分析损耗：CBB电容和CL电容在外形上差别不大，但在损耗这一电性能上差别较大。CBB81是由膜或箔式串联结构，环氧树脂封装、CBB81B双金属膜箔式串联结构、CBB81C是双面金属化串联结构，这三款都适用于高压、高频、大电流场合。电容的两个极片中间有介质，然后被壳体将电容极片、介质进行封装，事实上，封装的壳体不会100%的致密，就给潮气进入供给了或许。举例，耐压在50V的安规电容，潮气进入了，在电容两头加5V电压的时分，附着在介质上的潮气就成了一个漏电流通道，但由于电压低，这个漏电流并不很大，通路阻抗上发生的热量也并不大，不足以将水汽加热蒸腾掉，但损坏电容的储能特性是足够了。所以，电容失效了。其间ESR的凹凸与电容器的容量、电压、频率及温度都有干系，当额外电压固守时，容量愈大ESR愈低。)