●对于偏小磁芯变压器的设计：主要有磁芯Ae面积偏小的问题，将会带来初级圈数偏多的现象。可以适当提高工作频率，本案例工作频率在70KHz-75KHz。由于圈数偏多初次级的耦合将会更有利。所以VCC绕组电压在短路瞬间会上冲到比较高的状态，本案例原理图上有可控硅做过压保护功能。而后因为次级绕组的短路耦合到VCC绕组使其电压降低到IC不能启动这个过程是可以实现的。●要做到以上特性：VCC绕组线径必须要小，我个人一般取0.17mm以下，小于0.12会很容易断。这样小的线径谈不上节约铜材，但是可以利用铜线的阻抗来代替很多设计人员习惯在VCC整流二极管上串联小阻值电阻的功能，而且这个利用线圈本身的阻抗对交流的***能力在本案例当中更有效，可以防止瞬间冲击而损坏后级电路的***。35.传导整改，分段处理经验，如下图，这只是处理的一种方法，有些情况并不是能直接套用36.辐射整改，分段处理经验，如下图，适合一些新手工程师，提供一个参考的方向，有些情况并不是能直接套用，的还是要搞清楚EMI产生的机理。37.关于PCB碰到的问题，如图，为什么99SE画板覆铜填充的时候填不满这个位置？像是有死铜一样D1这个元件有个文字描述的属性放在了顶层铜箔，如图把它放到顶层丝印后，解决。38.变压器铜箔屏蔽主要针对传导，线屏蔽主要针对辐射，当传导非常好的时候，有可能你的辐射会差，这个时候把变压器的铜箔屏蔽改成线屏蔽，尽量压低30M下降的位置，这样整改辐射会快很多。EMI整改技巧之一39.测试辐射的时候，多带点不同品牌的MOS、肖特基。图一b（230Vac）图一b可以看到，输入电压在230Vac测试时，65M和83M位置有点顶线（红色线）图一b-1（230Vac）原边吸收电容由471P加大到102P，65M位置压下来一点，后面还是有点高，如图一b-1所示；图一b-2（230Vac）变压器屏蔽改成线屏蔽（0.2*1*30Ts）,后面完全衰减，如图一b-2；图一b-3（115Vac）115Vac输入测试，后面150M又超了，发克！高压好了低压又不行，恼火啊！看来这招不行；图一b-4（115Vac）变压器屏蔽还是换成铜箔屏蔽（圈数由0.9Ts改成1.3Ts），效果不错，如图一b-4所示。图一b-5（230Vac）115Vac输入测试，测试通过。结论：一：变压器出线需做到不交叉；二：Y电容回路走线越短越好先经过变压器地再回到大电容地，不与其它信号线交叉；其实看参数很简单的，主要看的就是输入电压、输出的电压和输出的电流就可以了。不过要注意的就是：买的时候要看输出电压是直流的还是交流的，多少V的电压，电流是多少A的，买电源的时候电源电流小了肯定是不能用的，要是小了的话就会烧变压器的，要是没有和你那个正好一样的电流，大一点也没有关系的，但是不能太大了!适配器的参数详细讲解：1、输入电压都是国际标准100-240V。2、输出参数USB接口的一般是5V0.6A或0.8A或0.9A或1A或1.5A,适合所有USB充电设备,只是对于大容量设备充电相对快慢。如果你非要知道是多少VA就买个电流表来测量一下便知。)