不少低密度、的金属基复合材料非常适合航空、航天用途。金属基复合材料的基体材料有很多种，但作为热匹配复合材料用于封装的主要是Cu基和灿基复合材料。这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料，也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料，为适应电子封装发展的要求，国内开展对金属基复合材料的研究和使用将是非常重要的。Cu／W和Cu／Mo为了降低Cu的CTE，可以将铜与CTE数值较小的物质如Mo、W等复合，得到Cu／W及Cu／Mo金属-金属复合材料。这些材料具有高的导电、导热性能，同时融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根据组元相对含量的变化进行调整，可以用作封装底座、热沉，还可以用作散热片。非常好的导热性，提供热耗散；③非常好的导电性，减少传输延迟；④良好的EMI／RFI屏蔽能力；⑤较低的密度，足够的强度和硬度，良好的加工或成形性能；⑥可镀覆性、可焊性和耐蚀性，以实现与芯片、盖板、印制板的可靠结合、密封和环境的保护；⑦较低的成本。传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等为了减少陶瓷基板上的应力，设计者可以用几个较小的基板来代替单一的大基板，分开布线。1．2钨、钼Mo的CTE为5．35×10-6K-1，与可伐和Al2O3非常匹配，它的热导率相当高，为138W(m-K-1)，故常作为气密封装的底座与可伐的侧墙焊接在一起，用在很多中、高功率密度的金属封装中。退火的纯铜由于机械性能差，很少使用。加工硬化的纯铜虽然有较高的屈服强度，但在外壳制造或密封时不高的温度就会使它退火软化，在进行机械冲击或恒定加速度试验时造成外壳底部变形。虽然设计者可以采用类似铜的办法解决这个问题，但铜、铝与芯片、基板严重的热失配，给封装的热设计带来很大困难，影响了它们的广泛使用。1．2钨、钼Mo的CTE为5．35×10-6K-1，与可伐和Al2O3非常匹配，它的热导率相当高，为138W(m-K-1)，故常作为气密封装的底座与可伐的侧墙焊接在一起，用在很多中、高功率密度的金属封装中.金属封装外壳压铸成型工艺：全压铸的工艺和塑料制品的生产流程十分相似，都是利用精密模具进行加工，只是材质由塑料改成了融化的金属；CNC与压铸结合工艺；j金属外壳加工工艺大概能够分成3种、一种是全CNC加工，一种是压铸，也有便是将CNC与压铸融合应用。新式的金属封装材料以及运用除开Cu／W及Cu／Mo之外，传统式金属封装材料全是单一金属或铝合金，他们常有一些不够，无法解决当代封裝的发展趋势。CNC加工加工工艺：全CNC加工说白了就是以一块铝合金板材（或是别的金属复合材料板才）刚开始，运用高精密CNC加工数控车床立即加工成必须的手机上后盖板样子，包含内框中的各种各样楼梯、凹形槽、螺钉孔等构造；世界各国常有Al2O3弥散加强无氧运动高导铜商品，如英国SCM金属制造企业的Glidcop带有99．7％的铜和0．3％弥散遍布的Al2O3。添加Al2O3后，热导率稍有降低，为365W(m-1K-1)，电阻率略微提升，为1．85μΩ·cm，但抗拉强度获得持续上升。铜、铝全铜也称作无氧运动高导铜(OFHC)，电阻率1．72μΩ·cm，仅次银。它的热导率为401W(m-1K-1)，从热传导的角度观察，做为封裝罩壳是十分理想化的，能够应用在必须高烧导和／或高电导的封裝里，殊不知，它的CTE达到16．5×10-6K-1，能够在刚度粘合的陶瓷基板上导致挺大的焊接应力。)