真空镀膜机光学加工工艺发展情况及未来趋势，中国的光学镀膜零件冷加工在中华民国时期是非常稀少的，到二十世纪五十年代从苏联和东德***引进光学加工技术，几乎是过来的。光学冷加工采用的是散粒磨料粗磨、精磨，古典式抛光。加工效率低下，同时对操作者的技术要求较高，每个操作者都要经过多年的技术岗位培训才能正式上岗工作。技术较好的工人可以从加工毛坯到抛光，独自完成全线的工作。这时的光学冷加工主要依靠技术工人的技能和经验加工零件，而工艺设计的作用在这个时期不是非常重要的。1、真空镀膜工艺在信息存储范畴中的运用薄膜资料作为信息记载于存储介质，有其得天独厚的优势：因为薄膜很薄能够疏忽涡流损耗；磁化回转极为敏捷；与膜面平行的双稳态状况简单保持等。为了更精细地记载与存储信息，必定要选用镀膜技能。2、真空镀膜工艺在传感器方面的运用在传感器中，多选用那些电气性质相关于物理量、化学量及其变化来说，极为敏感的半导体资料。此外，其中大多数运用的是半导体的外表、界面的性质，需求尽量增大其面积，且能工业化、低报价制造、因而选用薄膜的状况许多。（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合***学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。（2）常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4MPa下进行。CVD或辉光放电CVD，是低压CVD的一种形式，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。PCVD的工艺装置由沉积室、反应物输送系统、放电电源、真空系统及检测系统组成。气源需用气体净化器除往水分和其它杂质，经调节装置得到所需要的流量，再与源物质同时被送进沉积室，在一定温度和等离子体等条件下，得到所需的产物，并沉积在工件或基片表面。所以，PCVD工艺既包括等离子体物理过程，又包括等离子体化学反应过程。)