光刻胶的参数赛米莱德***生产、销售光刻胶，我们为您分析该产品的以下信息。分辨率分辨率英文名：resolution。区别硅片表面相邻图形特征的能力,一般用关键尺寸（CD，CriticalDimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。对比度对比度（Contrast）指光刻胶从***区到非***区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。敏感度敏感度（Sensitivity）光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的能量值（或***量）。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏***对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。粘滞性黏度粘滞性/黏度（Viscosity）是衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重（SG，SpecificGr***ity）是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位：泊（poise），光刻胶一般用厘泊（cps，厘泊为1%泊）来度量。百分泊即厘泊为粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=粘滞率/比重。单位：百分斯托克斯（cs）=cps/SG。粘附性粘附性（Adherence）表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等）。抗蚀性抗蚀性（Anti-etching）光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。表面张力液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力（SurfaceTension），使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。光刻胶的应用以下内容由赛米莱德为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助。模拟半导体（AnalogSemiconductors）发光二极管（Light-EmittingDiodesLEDs）微机电系统（MicroelectromechanicalSystemsMEMS）太阳能光伏（SolarPhotovoltaicsPV）微流道和生物芯片（Microfluidicsamp;Biochips）光电子器件/光子器件（Optoelectronics/Photonics）封装（Packaging）光刻胶工艺主要用于半导体图形化工艺，是半导体制造过程中的重要步骤。光刻工艺利用化学反应原理把事先制备在掩模上的图形转印到晶圆，完成工艺的设备光刻机和光刻胶都是占半导体芯片工厂资产的大头。在目前比较主流的半导体制造工艺中，一般需要40步以上***的光刻步骤，贯穿了半导体制造的整个流程，光刻工艺的***程度决定了半导体制造工艺的***程度。光刻过程中所用到的光刻机是半导体制造中的核心设备。目前，A***L的NXE3400B售价在一亿欧元以上，媲美一架F35战斗机。按***波长，光刻胶可分为紫外（300~450nm）光刻胶、深紫外（160~280nm）光刻胶、极紫外（EUV，13.5nm）光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。按照应用领域的不同，光刻胶又可以分为印刷电路板（PCB）用光刻胶、液晶显示（LCD）用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。PCB光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术***水平。赛米莱德本着多年光刻胶行业经验，专注光刻胶研发定制与生产，***的光刻胶生产设备和技术，建立了严格的产品生产体系，想要更多的了解，欢迎咨询图片上的***电话！！！)