溅射镀膜溅射镀膜，是不采用蒸发技术的物***相沉积方法。施镀时，将工作室抽成真空，充入氢气作为工作气体，并保持其压力为0.13-1.33Pa，以沉积物质作为靶（阴极）并加上数百至数千伏的负压，以工件为阳极，两侧灯丝带负压（-30-100v）。加热灯丝至1700℃左右时，灯丝发射出的电子使氢气发生辉光放电，产生出氢离子H，H被加速轰击靶材，使靶材迸发出原子或分子溅射到工件表面上，形成沉积层。溅射法可用于沉积各种导电材料，包括高熔点金属及化合物。如果用TiC作靶材，便可以在工件上直接沉积TiC涂层。当然，也可以用金属Ti作靶，再导入反应气体，进行反应性溅射，溅射涂层均匀但沉积速度慢，不适于沉积105mm以上厚度的涂层。溅射可使基体温度升高到500-600℃，因此，只适用于在此温度下具有二次硬化的钢制模具加工。若将反应气体导入蒸发空间，便可在工件表面沉积金属化合物涂层，这就是反应性离子镀。由于采用等离子活化，工件只需在较低温度甚至在室温下进行镀膜，完全保证零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序进行。如沉积TiN或TiC时，基体温度可以在150-600℃范围内选择，温度高时涂层的硬度高，与基体的结合力也高。基体温度可根据基体材料及其回火温度选择，如基体为高速钢，可选择560℃，这样，对于经淬火、回火并加工到尺寸的模具加工，无需担心基体硬度降低及变形问题。另外，离子镀的沉积速度较其他气相沉积方法快，得到10mm厚的TiC或TiN涂层，一般只需要几十分钟。微波等离子体化学气相沉积（MW-PCVD）微波等离子体的特点是能量大，活性强。激发的亚稳态原子多，化学反应轻易进行，是一种很有发展前途、用途广泛的新工艺，微波频率为2.45GHz，微波放电与直流辉光放电相比具有设备结构简单，轻易起辉，耦合，工作稳定，无气体污染及电极腐蚀，工作频带宽等优点，装置主要由微波发生器、环形器、定向耦合器、表面波导放电部分及沉积室组成。)