光刻胶介绍光刻胶介绍光刻胶(又称光致抗蚀剂)，是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、x射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻材料。光刻胶具有光化学敏***，其经过***、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。因此光刻胶微细加工技术中的关键性化工材料，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作。生产光刻胶的原料包括光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体和其他助剂等。近些年来，***半导体厂商在中国大陆投设多家工厂，如台积电南京厂、联电厦门厂、英特尔大连厂、三星电子西安厂、力晶合肥厂等。NR9-3000PYNR2925000P光刻胶厂家四、前烘（SoftBake）完成光刻胶的涂抹之后，需要进行软烘干操作，这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶剂溶剂、能使涂覆的光刻胶更薄。在液态的光刻胶中，溶剂成分占65％－85％。虽然在甩胶之后，液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10％－30％的溶剂，容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来（前烘后溶剂含量降至5％左右），从而降低了灰尘的沾污。同时，这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光刻胶衬底上的附着性。相对于其他的光刻胶，PR1-2000A1有如下的一些额外的优势：PEB，不需要后烘的步骤。在前烘过程中，由于溶剂挥发，光刻胶厚度也会减薄，一般减薄的幅度为10％－20％左右。NR77-15000P9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG***。两种标准对超净高纯***中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。负胶，98%H2SO4H2O2胶=COCO2H2O,正胶：BIN酮,干法去胶（ash）氧气加热去胶O2胶=COCO2H2O,等离子去胶Oxygenpla***aashing,高频电场O2---电离O-O,O活性基与胶反应CO2，CO，H2O,光刻检验NR9-1000py问题回馈：1．我们是LED制造商，麻烦推荐几款可以用于离子蚀刻和Lift-off工艺的光刻胶。A据我所知，Futurrex有几款胶很，NR7-1500PNR7-3000P是专门为离子蚀刻设计的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。2．请问有没有可以替代goodpr1518，Micropure去胶液和goodpr显影液的产品？A美国光刻胶，Futurrex正胶PR1-2000A,去胶液RR4，和显影液RD6可以解决以上问题。3．你们是否有可以替代ShipleyS1805的用于DVD的应用产品？A我们建议使用FuturrexPR1-500A,它有几个优点：比较好的解析度，比较好的线宽控制，反射比较少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~4．求助，耐高温的光阻是那一种？AFuturrex,NR7serious(负光阻)Orpr1serious(正光阻)，再经过HMCTSsilyiationprocess,可以达到耐高温200度，PSPI透明polyimide,可耐高温250度以上。5．厚膜光阻在镀金应用上，用哪一种比较理想？AFuturrex,NR4-8000P比干膜，和其他市面上的湿膜更加适合，和理想。6．请教LIFT-OFF制程哪一种光阻适合？A可以考虑使用Futurrex，正型光阻PR1，负型光阻用NR1amp;NR7,它们都可以耐高温180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。7．请问，那位***知道，RIEMask,用什么光阻比较好？A正型光阻用PR1系列，负型光阻使用NR5，两种都可以耐高温180度。8．一般厚膜制程中，哪一种光阻适合？ANR9-8000P有很高的深宽比（超过4：1），一般厚膜以及，MEMS产品的高需求。9．在DEEPRIE和MASK可以使用NRP9-8000P吗？A建议不使用，因为使用NR5-8000更加理想和适合。10．我们是OLED，我们有一种制程上需要一层SPACER，那种光阻适合？A有一种胶很适合，美国Futurrex生产的NR1-3000PYand和NR1-6000PY,都适合在OLED制程中做spacers)