IGBT测试装置技术要求（1）设备功能IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。系统的测试原理符合相应的***标准，系统为***式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。2.3栅极电荷技术条件测试参数：栅极电荷Qg：20nC～100uC20nC～100nC±5%，分辨率±1nC100nC～500nC±5%，分辨率±5nC500nC～2uC±5%，分辨率±10nC2uC～10uC±5%，分辨率±50nC10uC～100uC±5%，分辨率±100nC测试条件：1、栅极驱动电压：-15V～15V±3%，分辨率±0.1V2、集电极电流：50～100A±3%±1A;100～500A±3%±2A;500～1000A±3%±5A;3、集电极电压：50～100V±3%±1V100～500V±3%±5V500V～1000V±3%±10V4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求1）阈值电压测试电路阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）?满足表格9测试参数要求?低压开关电源要求：Vcc=12V(针对上图电路)?可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V?集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求1）阈值电压测试电路阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）。200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路集射极截止电压/发射极截止电流测试电路?高压充电电源：10~2kV连续可调?支撑电容：额定电压2kV?集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA?集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V)