8205A6采用***的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。8205A6是一颗双N沟道的低内阻场效应MOS管。双MOS的D极内部是连接在一起的。8205A6采用SOT23-6封装。8205A6常常于DW01搭配组成一套完整的锂电池充电放电保护电路系列。8205A6的基本参数：VDS=20V,ID=6A，***(ON)<24mΩ@VGS=4.5V，***(ON)<30mΩ@VGS=2.5V)