PW3407采用***的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW3407是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。PW3407具有比PW2301A更高的ID电流值，和更高的VDS耐压PW3407基本参数：VDS=-30V,ID=-4.2A,***(ON)<65mΩ@VGS=-10VPW3407采用SOT23-3L环保材质的封装形式。)