PW3400A采用***的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW3400A是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。PW3400A具有比PW2302A更高的ID电流值，和更高的VDS耐压PW3400A基本参数：VDS=30V，ID=5.8A，***(ON)<28mΩ@VGS=10VPW3400A采用SOT23-3L环保材质的封装形式。)