华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。01uA集电极电压VCE：0V栅极电压Vge：0-40V±3%±0。GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB13869-2008用电安全导则GB19517-2004***电器设备安全技术规范GB4208-2008外壳防护等级（IP代码）（IEC60529：2001，IDT）GB/T191-2008包装储运图示标志GB/T15139-1994电工设备结构总技术条件GB/T2423电工电子产品环境试验GB/T3797-2005电气控制设备GB/T4588.3-2002印制板的设计和使用GB/T9969-2008工业产品使用说明书总则GB/T6988-2008电气技术用文件的编制GB/T3859.3半导体变流器变压器和电抗器GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管3.6VCES集射极截止电压0~5000V集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集电极电压VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7ICES集射极截止电流0.01～50mA集电极电压VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；集电极电流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)饱和导通压降0.001～10V集电极电流ICE：0-1600A集电极电压VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V栅极电压Vge：5～40V±1%±0.01V集电极电流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；*3.9Iges栅极漏电流0.01～10μA栅极漏电流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性测试0.1～5V二极管导通电压Vf：0.1～5V±1%±0.01V电流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A；4验收和测试1)验收由双方共同参加，按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项，检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。由卖方现场安装、测试，买方确认测试合格通过后完成验收。2)卖方负责***和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作；负责免费培训并提供培训教材。4)湿度：20%RH至90%RH(无凝露，湿球温度计温度:40℃以下)。培训后，应能达到用户能基本完全***熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。)