四氟化碳亦称全氟化碳、四氟甲1烷、全氟化碳，为非腐蚀性气体，所有通用材料如钢、不锈钢、铜、青铜，铝等金属材料都可以使用。四氟化碳是一种造成温室效应的气体。它非常稳定，可以长时间停留在大气层中，是一种非常强大的温室气体。四氟化碳一般认为是惰性低毒物质，在高浓度下是窒息剂，其毒性不及四氯1化碳。四氯化1碳与氟化1氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行。四氯化1碳与氟1化氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分经精馏而得成品。相对分子量88.00。在常温下，四氟化碳是无色、无臭、不燃的易压缩性气体，挥发性较高，是稳定的有机化合物之一，不易溶于水。四氟化1碳的溶氧性很好，因此被科学家用于超深度潜水实验代替普通压缩空气。目前已在老鼠身上获得成功，在275米到366米的深度内，小白鼠仍可安全脱险。由碳与氟反应，或一氧4化碳与氟反应，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，或二氟二氯甲4烷与氟4化氢反应，或四氯4化碳与氟化银反应，或四氯4化碳与氟化4氢反应，都能生成四氟化碳。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳的密度比较高，可以填满地面空间范围，在不通风的地方会导致窒息。四氟化碳成品应存放在阴凉，干燥，通风的库房内，严禁曝晒，远离热源。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。)