光刻胶市场据统计资料显示，2017年中国光刻胶行业产量达到7.56万吨，较2016年增加0.29万吨，其中，中国本土光刻胶产量为4.41万吨，与7.99万吨的需求量差异较大，说明我国供给能力还需提升。国内企业的光刻胶产品目前还主要用于PCB领域，代表企业有晶瑞股份、科华微电子。在半导体应用领域，随着汽车电子、物联网等发展，会在一定程度上增加对G线、I线的需求，利好G线、I线等生产企业。四、前烘（SoftBake）完成光刻胶的涂抹之后，需要进行软烘干操作，这一步骤也被称为前烘。预计G线正胶今后将占据50%以上市场份额，I线正胶将占据40%左右的市场份额，DUV等其他光刻胶约占10%市场份额，给予北京科华、苏州瑞红等国内公司及美国futurrex的光刻胶较大市场机会。NR9-3000PY负性光刻胶价格二、预烘和底胶涂覆（Pre-bakeandPrimerVapor）由于光刻胶中含有溶剂，所以对于涂好光刻胶的硅片需要在80度左右的。硅片脱水烘焙能去除圆片表面的潮气、增强光刻胶与表面的黏附性、通常大约100°C。这是与底胶涂覆合并进行的。底胶涂覆增强光刻胶(PR)和圆片表面的黏附性。广泛使用:(HMDS)、在PR旋转涂覆前HMDS蒸气涂覆、PR涂覆前用冷却板冷却圆片。PR1-2000A1负性光刻胶价格4,***前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上，经与光刻版对准后，进行***，接受光照的光刻胶发生化学变化，形成潜影，光源与光刻胶相匹配，也就是光源波长在光刻胶的敏感波段；对准：指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准，这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。***时间，由光源强度，光刻胶种类，厚度等决定，另外，为降低驻波效应影响，可在***后需进行烘焙，称为光后烘焙（PEB）NR77-25000P,RD8品牌产地型号厚度***应用加工特性Futurrex美国NR71-1000PY0.7μm~2.1μm高温耐受用于i线***的负胶LEDOLED、显示器、MEMS、封装、生物芯片等金属和介电质上图案化，不必使用RIE加工器件的永组成（OLED显示器上的间隔区）凸点、互连、空中连接微通道显影时形成光刻胶倒梯形结构厚度范围：0.5～20.0μmi、g和h线***波长对生产效率的影响：金属和介电质图案化时省去干法刻蚀加工不需要双层胶技术NR71-1500PY1.3μm~3.1μmNR71-3000PY2.8μm～6.3μmNR71-6000PY5.7μm~12.2μmNR9-100PY粘度增强NR9-1500PYNR9-3000PY2.8μm~6.3μmNR9-6000PYNR71G-1000PY负胶对g、h线波长的灵敏度NR71G-1500PYNR71G-3000PYNR71G-6000PYNR9G-100PY0.7μm～2.1μmNR9G-1500PY1.3μm～3.1μmNR9G-3000PYNR9G-6000PY耐热温度PR1-500A0.4μm～0.9μm)