PW2305采用***的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW2305是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。PW2305具有比PW2302A更高的ID电流值，内阻比PW2302A偏低。PW2305基本参数：VDS=-20V，ID=-4.9A，***(ON)<38mΩ@VGS=-4.5VPW2305采用SOT23-3L环保材质封装形式。)