测试参数：ICES集电极-发射极漏电流IGESF正向栅极漏电流IGESR反向栅极漏电流BVCES集电极-发射极击穿电压VGETH栅极-发射极阈值电压VCESAT集电极-发射极饱和电压ICON通态电极电流VGEON通态栅极电压VF二极管正向导通压降整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。什么是大功率半导体元件？其用途为何？凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、GTO等各型闸流体与二极管(DIODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。1~1ms可设定4）栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路。1）可调充电电压源用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的测试需求。?输入电压380V±10%?频率50HZ；?输出电压500～1500V可调（可多个电源组成）?输出电流10A；?电压控制精度1%?电压调整率?纹波电压?工作温度室温～40℃；?保护有过压、过流、短路保护功能。)