金属表面处理在将柱形铝材按照前面评估的胚料大小进行切割并挤压，这个过程被称之为铝挤，会让铝材挤压之后成为规则的铝板方便加工，同时更加致密，坚硬。因为原始的铝材硬度和强度都不够。金属封装外壳压铸的原则就是不浪费，节省时间和成本，但是不利于后期的阳极氧化工艺，还可能留下沙孔流痕等等影响质量和外观的小问题，当然，厂商们都有一个良品率的概念，靠谱的厂商是不会让这些次品流入到后面的生产环节中去的。Cu基复合材料纯铜具有较低的退火点，它制成的底座出现软化可以导致芯片和／或基板开裂。为了提高铜的退火点，可以在铜中加入少量Al2O3、锆、银、硅。许多密度低的金属基复合材料特别适合航空公司、航空航天主要用途。这些物质可以使无氧高导铜的退火点从320℃升高到400℃，而热导率和电导率损失不大。传统金属表面处理及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；不少低密度、的金属基复合材料非常适合航空、航天用途。金属基复合材料的基体材料有很多种，但作为热匹配复合材料用于封装的主要是Cu基和灿基复合材料。金属封装外壳压铸成型工艺：全压铸的工艺和塑料制品的生产流程十分相似，都是利用精密模具进行加工，只是材质由塑料改成了融化的金属；金属表面处理在将柱形铝材按照前面评估的胚料大小进行切割并挤压，这个过程被称之为铝挤，会让铝材挤压之后成为规则的铝板方便加工，同时更加致密，坚硬。CNC与压铸结合工艺；虽然金属表面处理设计师铜类似的方法可以被采用以解决这个问题，但铜和铝的芯片，所述衬底的严重的热失配，所述封装的热设计了很大的困难影响它们的广泛使用。1.2钨，钼（Mo）具有5.35×10-6K-1的CTE，和铁镍钴合金和Al2O3匹配时，它的热导率非常高，为138W（MK-1），正如经常气密封装基座和侧壁焊接在一起可伐，在许多包所使用的金属，所述高功率密度的Cu/W和Cu/沫以减少铜CTE可以更小和铜的材料例如Mo，W等的CTE值的复合物，以得到铜/W和Cu/钼金属-金属复合材料。这些材料具有高的导电性，导热性，同时整合钨，钼的低CTE，高硬度特性。的Cu/W和Cu/沫CTE可以根据组分的相对含量的变化进行调整，可以用作封装基座，散热器也可以用作散热片。除此之外，不一样商品的夹装方法不一样，在生产加工前应设计方案好工装夹具，一部分构造繁琐商品必须做***的工装夹具。形式的金属包装，加工柔性的，和特定组件（例如，混合集成A/d或d/A转换器）为一体的，对于低I/O芯片和多用途单芯片的数量，但也它适用于RF，微波，光，声表面波器件和高功率，小批量满足高可靠性要求。金属表面处理CNC与压铸结合就是先压铸再利用CNC精加工。工艺优缺点：CNC工艺的成本比较高，材料浪费也比较多，当然这种工艺下的中框或外壳质量也好一些。金属封装外壳编程囊括了加工的工序设定、刀具选择，转速设定，刀具每次进给的距离等等。此外，不同产品的装夹方式不同，在加工前要设计好夹具，部分结构复杂产品需要做专门的夹具这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料，也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料，为适应电子封装发展的要求，国内开展对金属基复合材料的研究和使用将是非常重要的。金属封装外壳压铸成型工艺：全压铸的工艺和塑料制品的生产流程十分相似，都是利用精密模具进行加工，只是材质由塑料改成了融化的金属。)