CMP技术的概念是1965年由Manto提出。该技术是用于获取高质量的玻璃表面，如望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM的制造中，而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM的生产中以后，CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。铝化学抛光技术?一、对铝制品表面进行机械抛光：al.com5?z4?n6?T#?]:?N8?p,?F3?^1、机械抛光工序为：粗磨、细磨、抛光、抛亮、喷砂、刷光或滚光等，根据制表面的粗糙程度来适当采取不同的工序。???二、化学除油除膜：6?z,?R1?d3?w;?%?R1?w化学除油除膜过程是借着化学反应和物理化学作用，除去制件表面的油污和自然氧化膜。化学除油除膜一般采用酸性除油除膜剂AC。:?b#?^#?﹨4??;?b7?s2???使用条件：?1、浓度：2-7%6?d2?X)?r*?M??G8?M2、工艺条件：?温度：20-30℃?时间：2-10min???酸洗液的配方：中国铝业论坛$?V:?n?e?^2?h8?L8?N3?c浓硝液200~270ML/L中国铝业论坛;?j?{amp;?[%?X-?b5?d温度：室温时间：1-3min?除去含合金制件表面氧化膜和硅浮灰的酸洗液配方：9?R9?F9?G9?r8?~9?P?i浓3体积；浓1体积。???温度：室温?时间：5-15min:?r7?T0?_-?a?m1?H0?u铝及铝合金制件经化学酸洗后，必须立即用流动温水和冷水清洗，以除去残酸，然后浸入水中，以备化学抛光。金属的化学抛光,常用、磷酸、***、盐酸等酸性溶液抛光铝、铝合金、钥、钥合金，碳钢及不锈钢等。有时还加人明胶或甘油之类。抛光时必须严格控制溶液温度和时间。温室从室温到90℃，时间自数秒到数分钟，要根据材料、溶液成分经实验后才能确定值。半导体材料的化学抛光，如锗和硅等半导体基片在机械研磨平整后，还要终用化学抛光去除表面杂质和变质层。常用和、***混合溶液或和氢氧化铵的水溶液。多晶金刚石抛光液多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。主要应用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。氧化硅抛光液氧化硅抛光液（CMP抛光液）是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。)