随着微机电技术的发展，如今的电容式加速度传感器都普遍采用的MEMS技术制造。下图显示了一种MEMS变电容式加速度传感器的结构，它的整个敏感元件由粘在一起的三个单晶硅片构成。其中上、下硅片构成两个固定电极，中间的硅片通过化学刻蚀形成由柔性薄膜支撑的具有刚性中心质量块的形状，薄膜的厚度取决于该加速度传感器的量程。但是，为实现测量位移目的而设计的电位器，要求在位移变化和电阻变化之间有一个确定关系。另外，在薄膜上还有刻蚀出的小孔，当薄膜随质量块运动时，空气流经小孔从而产生所需的阻尼力。由于采用MEMS技术得到了这种一体化的结构，它的可靠性是相当高的。电容位移传感器是一种非接触电容式原理的精密测量仪器，具有一般非接触式仪器所共有的无磨擦、无损磨特点外，还具有信噪比大，灵敏度高，零漂小，频响宽，非线性小，精度稳定性好，抗电磁干扰能力强和使用操作方便等优点。电容的两极分别是传感器和与之相对的被测物体。如果有稳定交流电通过传感器，输出交流电的电压会与传感器到被测物体之间的距离成正比关系，从而可以通过测量电压的变化得到距离信息。传统电容式传感器，会从电极侧面散发磁力线。这中磁场会导致错误的测量结果。德国米铱的电容式传感器带有一个接地屏蔽环，可以有效减少侧面磁场和边界效应，从而得到更加准确的测量结果。从接地屏蔽环发出的磁力线不会影响测量结果。高的精度测量电容式测量原理是几种精度的测量原理之一。位移激光传感器的使用工序需要购买者仔细参考相关规章定进行操纵，使用位移激光传感器的效果能够进步工厂设备的精度和准度，在购买者进行分析调整时需要留意了解位移激光传感器的长处。但是问题是，如此微小的测量距离会导致测量信号变化同样微小。也就是说，在探头和被测物体之间仅有很少量的电子可以用来显示距离的变化。这意味着，如果有很小的漏电流或寄生电流流过探头到控制器的电路，也会影响测量结果的准确性。因此，探头到控制器之间的电缆需要特殊的双屏蔽电缆。这种特殊的，全封闭的RF电缆保证了高信号质量。双屏蔽电缆与接地磁屏蔽技术的使用，使高的精度测量成为可能。位移测量传感器[2-3]按照测量原理可分为电感式位移传感器、电涡流式位移传感器、超声波位移传感器、电容位移传感器等。磁致伸缩位移传感器是根据磁致伸缩原理制造的高精度、长行程位置测量的位移传感器。其中，电感式传感器和电涡流式传感器在具体实验中虽然具有连续测量、精度较高等优点，但都会有系统复杂且制造困难等问题；超声波传感器具有波长短、频率高、方向性好等优点，但是易受反应堆内环境影响，造成测量困难，会产生不小的误差，且超声波传感器由于置于控制棒外壳内部，使得维修不易。相比较而言，电容传感器具有一定的优越性，它具有可靠性高、响应速度快、测量精度高等优点，且结构简单，使用方便。因此，本文使用电子六所研制的电容式位移传感器对控制棒数据进行研究。控制棒落棒过程为直线下落运动，落棒时控制棒位移与电容值之间的关系对指示棒位非常重要。本文分别使用三次样条函数、二乘法和BP***网络算法，对位移测量得到的数据进行曲线拟合分析，确***移与电容值之间的关系。)