（2）主要技术参数1）基本参数功率源：5000V1200A2）栅极-发射极漏电流IGESIGES：0.1-10uA±2%±0.01uA集电极电压VCE：0V栅极电压Vge：0-40V±3%±0.1V3）集电极-发射极电压集电极电压VCES：100-5000V±2%±10V集电极电流ICES：0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压Vge：0V4）集电极-发射极饱和电压VCESatVCESat：0.2-5V栅极电压Vge：±15V±2%±0.2V集电极电流ICE：10-1200A±2%±1A5）集电极-发射极截止电流ICES集电极电压VCE：100-5000V±3%集电极电流ICES：0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压VGE：0V6）栅极-发射极阈值电压VGEth：1-10V±2%±0.1VVce：12V集电极电流ICE：30mA±3%7）二极管压降测试VF：0-5V±2%±0.01VIF：0-1200A±2%±1AVge：0V1.1设备数量1套*1.2设备功能测试功率半导体器件静态参数*1.3设备组成设备包含硬件模块和软件模块两大部分*1.4硬件模块设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等*1.5软件模块设备软件部分应包括：1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能；2.图形化操作界面；中/英文操作系统3.输出EXCEL、wor测试报告*4.切换大小功率测试模块，达到相应测试精度*5.可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格；现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性。*6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比；2、设备尺寸2.1设备总体长度≤700mm2.2设备总体宽度≤600mm2.3设备总体高度≤500mm静态及动态测试系统技术规范供货范围一览表序号名称型号单位数量1半导体静态及动态测试系统HUSTEC-2010套11范围本技术规范提出的是限度的要求，并未对所有技术细节作出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。1）可调充电电压源用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的测试需求。IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求1）阈值电压测试电路阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）?满足表格9测试参数要求?低压开关电源要求：Vcc=12V(针对上图电路)?可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V?且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路集射极截止电压/发射极截止电流测试电路?高压充电电源：10~2kV连续可调?支撑电容：额定电压2kV?集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA?集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V)