粗蜡抛光：砂纸研磨后进一步去除表面砂纸痕，***漆面平整度和初始光泽。将蜡均匀涂抹在一定漆面区域内（单次抛光面积在一臂展长宽范围内为宜）抛光机转速控制在1200-2000转之间。初期以中等偏上的压力压住抛光盘均速抛光漆面，观察漆面，待砂纸痕明显抛除后放松压力将蜡痕抛开，回复漆面一定的光泽。抛光后应使用超细纤维布擦拭干净漆面残留的粗蜡和粉尘。质量标准：去除砂纸在漆面上造成的砂纸痕，漆面呈现处部分光泽。2.2镜面抛光：去除粗蜡抛光残留的圈纹，***车漆的原有光泽。质量标准：漆面无明显圈纹，出现镜面效果，光泽度比抛光前得到有效改善。3、还原：找回车漆的本来面目，***新车般的状态。质量标准：光泽度明显比抛光前得到改善，倒影清晰可见。为了确定使用研磨剂的种类，需对漆面问题进行判断。在不明显处的小块面积使用研磨剂。研磨剂优先选用轻度研磨剂，如果漆面缺陷较严重，考虑选用中度或重度研磨剂。抛光加工的特点1、抛光可提高工件和抗腐蚀的性能。2、抛光也可以作为一道中间工序，为油漆、电镀等后道工序提供漆膜、镀层附着能力强的表面。3、抛光是一种应用广泛的磨料加工方法，金属及非金属材料制品，精密机电产品，日常生活用品，均可采用抛光加工来提高表面质量。4、抛光一般不用特殊设备，工具盒加工方法也比较简单，成本低。5、由于抛光轮是弹性的，能与曲面吻合，容易实现曲面抛光，便于对模具型腔进行光正加工。半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。化学抛光的优缺点：1：优点：操作简便、快速，无需专用仪器。抛光后试样表面无变形层，可抛光经镶嵌后的试样，也可同时抛光试样的纵、横断面。化学抛光时兼有化学侵蚀作用，因此多数情况下能同时显示***，抛光结束之后可以观察***，不需再做侵蚀显示。2：缺点：抛光液容易失效，溶液消耗快。抛光结果不是太佳，试样的棱角易受蚀损，抛光面易出现微小波纹起伏，高倍观察时受到影响)