企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司电池片组件回收层压三阶段振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。电池片组件回收（1）刚开始环节，层压机的溫度维持在较低溫度，EVA熔融，有优良的流通性，可是化学交联速率比较慢。进口真空泵对下室真***装，因此部件內部的汽体快速而且非常容易的被吸走。上室维持真空泵，部件没受工作压力。（2）EVA干固环节。层压机溫度上升到1个较高溫度，EVA产生迅速的化学交联反映。下室继续保持真***装，立即排出来干固全过程造成的汽体。一起上室打气，上下左右室中间的工作压力差使层压机中的硫化橡胶层对部件施压。（3）完毕环节。EVA干固进行。起先上室真***装，移去工作压力，随后下室打气，打开表盖。针对BIPV部件，两面全是夹层玻璃，而且为了实现工程建筑规定，片式玻璃的厚度乃至超过5mm。基本的绝缘层背膜-EVA-电池片-EVA-夹层玻璃5层封裝加工工艺，此环节压层出現的难题较多。封裝出現的汽泡，挪动等状况，依据EVA熔化干固基本原理，探求合适封裝的与众不同加工工艺。依据具体生产制造必须和必须品牌EVA的干固特点按给出方式提升压层主要参数。电池片的检验STF印制：A级：标识要有虚印、粗印现象（字母线宽度应小于0.22mm）但仍可辨识时作为A级。若标识存在缺印但仍可辨识时，按字母高度的1/3判定，缺失长度小于字母高度1/3。B级：标识要有虚印、粗印现象，字母线宽度应小于0.22mm，但仍可辨识时，如实心“P”，若标识存在缺印但仍可辨识时，按字母高度的1/3判定，缺失长度小于字母高度1/3。C级：若字母变形或无法辨识时直接降为C级。新的标准与旧的相同缺陷片：1．主栅线或副栅线或背电极或背电场超出c级降级片的要求时，但仍有利用价值的片子。2．由于存储不当造成成电极氧化时，直接以报废片处理3．仅印刷烘干而没有经过烧结的电池片，如果还有利用价值，则租铺位缺陷片处理4．完全未印制背电场的电池片作缺陷片处理。5．叠片仍有利用价值的作为缺陷片，如果全叠片则作为报废片处理。电池片的制作工艺影响因素1．频率射频PECVD系统大都采用50kHz~13.56MHz的工业频段射频电源。较高频率（gt;4MHz）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。2．射频功率增加RF功率通常会改善SiN膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过1W/cm2时器件会造成严重的射频损伤。3．衬底温度PECVD膜的沉积温度一般为250～400℃。这样能保证氮化硅薄膜在HF中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于200℃下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于450℃时膜容易龟裂。4．气体流量影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是SiH4。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20（体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。5．反应气体浓度SiH4的百分比浓度及SiH4/NH3流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。理想Si3N4的Si/N＝0.75，而PECVD沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成SiN。因此，必须控制气体中的SiH4浓度，不宜过高，并采用较高的SiN比。除了Si和N外，PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHZ或SiNx:H。6．反应压力、和反应室尺寸等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。电池片各工序影响因素及异常情况电池片各工艺流程危害要素及异常现象4.NaOH产生金字塔式绒面。NaOH浓度值越高，金字塔式容积越小，反映前期，金字塔式成核相对密度类似没受NaOH浓度值危害，碱水溶液的腐蚀随NaOH浓度值转变比较显著，浓度值高的NaOH水溶液与硅体现的速率加速，再反映过段时间后，金字塔式容积更大。NaOH浓度值超出必须界线时，各向异性系数缩小，绒面会愈来愈差，类似打磨抛光。可控性水平：与IPA相近，线性度不高。5.Na2SiO3SI和NaOH反映生产制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有缓冲剂的***，使反映不会很强烈,变的轻缓。Na2SiO3使反映拥有大量的起始点，生长发育出的金字塔式更匀称，更小一点儿Na2SiO3多的那时候要立即的排出去，Na2SiO3传热性差，会危害反映,水溶液的黏稠度也提升，非常容易产生水流、花蓝印和表层黑斑。可控性水平：没办法操纵。4酸洗钝化HCL除去硅片表层的金属材料残渣***具备酸和络合剂的双向***，***盐能与多种多样金属材料正离子产生可溶解与水的络合物。6酸洗钝化HF除去硅片表层空气氧化层，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。基准点1．减薄量界定：硅片制绒前后左右的前后左右净重差。操纵范畴多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首篮减薄量在0.7±0.2g；之后减薄量在0.6±0.2g。2．绒面分辨规范：成核相对密度高，尺寸适度，匀称。操纵范畴：多晶硅：金字塔式规格3~10um。3．外型无豁口，黑斑，裂痕，激光切割线，刮痕，凹痕，有没有白斑病，赃污。)