半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个独特的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在极短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3。现今PowerMOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换.5包装、标志和运输卖方负责整套设备的包装和运输，并负担由此产生的费用。...等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。2.3栅极电荷技术条件测试参数：栅极电荷Qg：20nC～100uC20nC～100nC±5%，分辨率±1nC100nC～500nC±5%，分辨率±5nC500nC～2uC±5%，分辨率±10nC2uC～10uC±5%，分辨率±50nC10uC～100uC±5%，分辨率±100nC测试条件：1、栅极驱动电压：-15V～15V±3%，分辨率±0.1V2、集电极电流：50～100A±3%±1A;100～500A±3%±2A;500～1000A±3%±5A;3、集电极电压：50～100V±3%±1V100～500V±3%±5V500V～1000V±3%±10V4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求)