现今PowerMOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换..6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害。..等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。3、系统基本参数3.1电压源：220VAC±10%，50Hz/60Hz20ARMS；3.2加热功能：室温～150℃；3.3测试功能：可测试IGBT模块及FRD；3.4环境温度：25℃±15℃；3.5环境湿度：50%±20%（相对湿度）4、动态测试基本配置4.1集电级电压Vcc：50~1000V；4.2集电极电流Ic：50~1000A***负载；4.3电流持续时间It：10~1000us单个脉冲或双脉冲的总时间；4.4脉冲模式：单脉冲和双脉冲；4.5单电流脉冲的设置：Vcc，Ic,电感值（自动计算脉宽）；4.6双电流脉冲的设置：Vcc,Ic,电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)；（开启Qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us）；4.7设备寄生电感Lint:2.7测试夹具1、控制方式：气动控制2、控温范围：室温—150℃室温—125℃±1.0℃±3%125—150℃±1.5℃±3%3、电源：交流50HZ，220V，功率不大于1000W4、夹具能安装不同规格的适配器，以测试不同规格的器件，不同模块需要配备不同的适配器，设备出厂时配备62mm封装专用测试夹具、EconoPACK3封装专用测试夹具、34mm封装专用测试夹具各一套，但需甲方提供适配器对应器件的外形图；8环境要求环境温度：15～35℃相对湿度：小于70%大气压力：86Kpa～106Kpa压缩空气：不小于0。2.8环境要求环境温度：15～35℃相对湿度：小于70%大气压力：86Kpa～106Kpa压缩空气：不小于0.4MPa电网电压：AC220V±10%无严重谐波，三线制电网频率：50Hz±1Hz)