国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题；如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。金属封装外壳CNC与铝压铸融合便是先铝压铸再运用CNC深度加工。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。金属外壳制作工艺大致可以分为3种、一种是全CNC加工，一种是压铸，还有就是将CNC与压铸结合使用。CNC加工工艺：全CNC加工顾名思义就是从一块铝合金板材（或者其他金属材料板材）开始，利用精密CNC加工机床直接加工成需要的手机后盖形状，包括内框中的各种台阶、凹槽、螺丝孔等结构；金属封装外壳CNC加工开始前，首先需要建模与编程。3D建模的难度由产品结构决定，结构复杂的产品建模较难，需要编程的工序也更多、更复杂。金属封装外壳CNC与铝压铸融合便是先铝压铸再运用CNC深度加工。传统金属封装材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。工艺优点和缺点：CNC工艺的成本费较为高，原材料奢侈浪费也比较多，自然这类工艺下的中框或外壳品质也罢一些。Cu基高分子材料全铜具备较低的退火点，它做成的底座出現变软能够造成集成ic和／或基钢板裂开。以便提升铜的退火点，能够在铜中添加小量Al2O3、锆、银、硅。这种化学物质能够使无氧运动高导铜的退火点从320℃上升到400℃，而导热系数和导电率损害并不大金属基高分子材料金属封装是选用金属做为罩壳或底座，集成ic立即或根据基钢板安裝在外壳或底座上，导线越过金属罩壳或底座大多数选用夹层玻璃—金属封接技术性的一种电子封装方式。它普遍用以混和电源电路的封裝，主要是和订制的专用型气密性封裝，在很多行业，尤其是在及航天航空行业获得了普遍的运用。国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。与传统金属封装材料相比，它们主要有以下优点：①可以通过改变增强体的种类、体积分数、排列方式或改变基体合金，改变材料的热物理性能，满足封装热耗散的要求，甚至简化封装的设计。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题；如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。金属封装外壳压铸的原则就是不浪费，节省时间和成本，但是不利于后期的阳极氧化工艺，还可能留下沙孔流痕等等影响质量和外观的小问题，当然，厂商们都有一个良品率的概念，靠谱的厂商是不会让这些次品流入到后面的生产环节中去的。材料工作者在这些材料基础上研究和开发了很多种金属基复合材料(MMC)，它们是以金属(如Mg、Al、Cu、Ti)或金属间化合物(如TiAl、NiAl)为基体，以颗粒、晶须、短纤维或连续纤维为增强体的一种复合材料。)