华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。4MPa电网电压：AC220V±10%无严重谐波，三线制电网频率：50Hz±1Hz。GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB13869-2008用电安全导则GB19517-2004***电器设备安全技术规范GB4208-2008外壳防护等级（IP代码）（IEC60529：2001，IDT）GB/T191-2008包装储运图示标志GB/T15139-1994电工设备结构总技术条件GB/T2423电工电子产品环境试验GB/T3797-2005电气控制设备GB/T4588.3-2002印制板的设计和使用GB/T9969-2008工业产品使用说明书总则GB/T6988-2008电气技术用文件的编制GB/T3859.3半导体变流器变压器和电抗器GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管如何执行导通参数与漏电流的量测？?测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。大功率Igbt模块测试系统简介我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：☆可单机***操作，测试范围达2000V及50A。☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600A。7、测量配置7.1示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；7.2高速电流探头；7.3高压差分探头。8、测试参数应包括8.1开通：turnon(tdon,tr,di/dt,Ipeak,Eon,Pon)；8.2关断：turnoff(tdoff,tf,Eoff,Ic,Poff)；8.3反向***(Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；8.4栅电荷：采用恒流驱动，电流可调范围：0～100mA；8.5短路（1200Ａmax）；8.6雪崩；8.7NTC(模块)测试：0-20KΩ；8.8主要测试参数精度偏差：静态及动态测试系统技术规范供货范围一览表序号名称型号单位数量1半导体静态及动态测试系统HUSTEC-2010套11范围本技术规范提出的是限度的要求，并未对所有技术细节作出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。培训后，应能达到用户能基本完全***熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。)