传统金属封装材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。Cu基复合材料全铜具备较低的退火点，它做成的基座出現变软能够造成集成ic和／或基钢板裂开。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；但密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。金属封装外壳CNC与压铸结合就是先压铸再利用CNC精加工。工艺优缺点：CNC工艺的成本比较高，材料浪费也比较多，当然这种工艺下的中框或外壳质量也好一些。金属表面处理铝挤、DDG、粗铣内接着将铝合金板铣成手机机身需要的尺寸，方便CNC精密加工，接着是粗铣内腔，将内腔以及夹具***的柱加工好，起到精密加工的固定作用。非常好的导热性，提供热耗散；③非常好的导电性，减少传输延迟；④良好的EMI／RFI屏蔽能力；⑤较低的密度，足够的强度和硬度，良好的加工或成形性能；⑥可镀覆性、可焊性和耐蚀性，以实现与芯片、盖板、印制板的可靠结合、密封和环境的保护；⑦较低的成本。传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等金属外壳制作工艺大致可以分为3种、一种是全CNC加工，一种是压铸，还有就是将CNC与压铸结合使用。CNC加工工艺：全CNC加工顾名思义就是从一块铝合金板材（或者其他金属材料板材）开始，利用精密CNC加工机床直接加工成需要的手机后盖形状，包括内框中的各种台阶、凹槽、螺丝孔等结构；不锈钢主要使用在需要耐腐蚀的气密封装里，不锈钢的热导率较低，如430不锈钢(Fe-18Cr，中国牌号4J18)热导率仅为26．1W(m-1K-1)。虽然金属表面处理设计师铜类似的方法可以被采用以解决这个问题，但铜和铝的芯片，所述衬底的严重的热失配，所述封装的热设计了很大的困难影响它们的广泛使用。1.2钨，钼（Mo）具有5.35×10-6K-1的CTE，和铁镍钴合金和Al2O3匹配时，它的热导率非常高，为138W（MK-1），正如经常气密封装基座和侧壁焊接在一起可伐，在许多包所使用的金属，所述高功率密度的Cu/W和Cu/沫以减少铜CTE可以更小和铜的材料例如Mo，W等的CTE值的复合物，以得到铜/W和Cu/钼金属-金属复合材料。这些材料具有高的导电性，导热性，同时整合钨，钼的低CTE，高硬度特性。的Cu/W和Cu/沫CTE可以根据组分的相对含量的变化进行调整，可以用作封装基座，散热器也可以用作散热片。形式的金属包装，加工柔性的，和特定组件（例如，混合集成A/d或d/A转换器）为一体的，对于低I/O芯片和多用途单芯片的数量，但也它适用于RF，微波，光，声表面波器件和高功率，小批量满足高可靠性要求。金属表面处理如美国SCM金属制品公司的Glidcop含有99．7％的铜和0．3％弥散分布的Al2O3。在金属表面处理解决中获得普遍应用，如美国Sinclair企业在电力电子器件的金属封装中应用Glidcop替代无氧运动高导铜做为基座。美国Sencitron企业在TO-254气密性金属封装中应用陶瓷绝缘子与Glidcop导线封接。很好的传热性，出示热耗散；③很好的导电率，降低传送延迟时间；④优良的EMI／RFI屏蔽掉工作能力；⑤较低的相对密度，充足的抗压强度和强度，优良的生产加工或成型特性；⑥可镀覆性、可焊性和耐腐蚀性，以完成与集成ic、后盖板、pcb板的靠谱融合、密封性和自然环境的维护；⑦较低的成本费。传统式金属封装材料包含Al、Cu、Mo、W、钢、可伐铝合金及其Cu／W和Cu／Mo等传统式金属封装材料以及局限集成ic材料如Si、GaAs及其陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)接近3×10-6-7×10-6K-1中间。金属封装材料为完成对集成ic支撑点、电联接、热耗散、机械设备和自然环境的维护，应具有下列的规定：①与集成ic或陶瓷基板配对的低热膨胀系数,降低或防止焊接应力的造成；此外，不同产品的装夹方式不同，在加工前要设计好夹具，部分结构复杂产品需要做专门的夹具用作封装的底座或散热片时，这种复合材料把热量带到下一级时，并不十分有效，但是在散热方面是极为有效的。)