氯化铵含量的影响通过蚀刻再生的化学反应可以看出﹕﹝Cu(NH3)2﹞1的再生需要有过量的NH3和NH4CL存在。如果溶液中缺乏NH4CL，广州标牌，而使大量的﹝Cu(NH3)2﹞1得不到再生﹐蚀刻速率就会降低﹐以至失去蚀刻能力。所以﹐氯化铵的含量对蚀刻速率影响很大。随着蚀刻的进行﹐要不断补加氯化铵。但是﹐溶液中CL含量过高会引起抗蚀层被浸蚀。一般蚀刻液中NH4CL含量应在150g/L左右。条宽损失(Etchbias)过蚀刻(Overetch)–在平均膜厚完全蚀刻掉以后的额外蚀刻。补偿蚀刻速率和膜厚的不均匀性。残留物(Residues)–在蚀刻和平版印刷过程中无意留下的物质。微掩膜（Micro-masking）--由于微粒，薄膜掺杂以及残留物产生的无意留下的掩膜。糊胶（Resistreticulation）--温度超过150摄氏度时光刻胶产生的燃烧和折皱。纵横比（Aspectratio）--器件结构横截面深度和宽度的比率。负载（Loading）--蚀刻速率依赖于可蚀刻表面数量，金属蚀刻标牌价格，可在宏观或微观尺寸下。纵横比决定蚀刻（AspectRatioDependentEtching/ARDE）--蚀刻速率决定于纵横比。终点（Endpoint）--在一个蚀刻过程中，平均膜厚被蚀刻干净时的时间点。光刻胶（Photo-resist）--作为掩膜用来图形转移的光敏材料。分辨率（Resolution）--用于测试光学系统把相邻的目标形成分离图像的能力。焦深(Depthoffocus)–在焦平面上目标能形成影像的纵向距。关键尺寸（Criticaldimensi-CD）--一个特征图形的尺寸，包括线宽、间隙、或者关联尺寸。广州标牌-延铭蚀刻标牌加工-金属蚀刻标牌价格由深圳市延铭标牌工艺有限公司提供。“PMMA面板,精密模切,商标,各类水晶滴胶标”就选深圳市延铭标牌工艺有限公司（），公司位于：深圳市宝安区石岩水田捷家宝路9号羿松生态科技园C栋三楼，多年来，延铭标牌坚持为客户提供好的服务，联系人：廖小姐。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。延铭标牌期待成为您的长期合作伙伴！)