标牌电蚀刻问题1.不锈钢(300系列)在中会钝化,不会腐蚀.面盐酸和会造成不锈钢的腐蚀,优以HF为重.2.蚀刻不锈钢用N***()水溶液就可以,黄铜可以考虑用N***和NaNo3(钠)混合溶液.3.蚀刻铝牌与其它金属一样,不存在的电蚀比化学蚀刻快,电蚀对小面积细线条的图案,按每次一块与化学蚀刻相丝,要快5-10倍(看蚀刻液配方及蚀刻头形状,阴阳极间距,蚀刻温度,电源波形),但化学蚀刻一次蚀刻的面积可能要较电刻大几十或数百倍(如用PCB机),所以这种说法不准确!但不管怎样，这种工艺过程，却经历了二十多年的发展，直到目前为止，还不能完全取消这种传统工艺。金属标牌蚀刻突破瓶颈的新模式金属标牌蚀刻是一种全新的蚀刻工艺，标牌顾名思义大家都知道是什么，金属标牌所选用的材料一般为铝、铜、不锈钢板。而铝所选用的铝版一般为拉丝铝板，拥有精致的线条纹路，使印刷出来的铝牌显得十分的精巧、美观。因此,使用新鲜溶液与蚀刻表面相互作用﹐其主要目的有两个﹕冲掉刚产生的铜离子及不断为进行反应供应所需要的氨（NH3）。而轻，柔，美就是铝牌的特点。这种铝表面还有一层保护膜保护好铝牌不被刮花。蚀刻就是在它的上面进行加工，一起来看看金属标牌蚀刻突破瓶颈的模式吧！突破性的蚀刻技术实现原子级的蚀刻精准性，从而推动摩尔定律发展；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。随着芯片结构日益精细，选择性工艺可在不损伤芯片的前提下清除不需要的材料；该系统已获得芯片制造商青睐，用于生产***FinFET和存储芯片生产***芯片的一个重要壁垒是在一个多层结构芯片中有选择性地清除某一特定材料，而不***其他材料是我们在蚀刻领域中的又一大创新，丰富了我们的差异化产品线，通过实现选择性清除工艺，推动了摩尔定律发展，创造了新的市场机遇。随着***微型芯片的结构日益复杂，其深而窄的沟槽为芯片制造带来了全新的挑战，例如湿性化学成分无法穿透微小结构，或是无法在不损伤芯片的前提下清除不需要的物质。Selectra系统的革命性工艺可进入极狭小的空间，从而实现的选择性材料清除和原子级的蚀刻精准性，适用于各类电介质、金属和半导体薄膜。缺点：蚀刻面不均匀，大面积腐蚀速度慢，不能用于量产，也不能做凸字大面积蚀刻，不能用做标牌的大批量生产加工。其广泛的工艺范围以及控制无残留物和无损伤材料清除的能力，显著扩大了蚀刻技术的应用范围，可用于图案化、逻辑、代工、3DNAND及DRAM等关键蚀刻应用。凭借Selectra系统的丰富功能，芯片制造商能够生产出***的3D设备，并探索新的芯片结构、材料和集成技术。有时较剧烈的振颤都有可能损伤铜箔。5.减少污染的问题铜对水的污染是印制电路生产中普遍存在的问题﹐而氨碱蚀刻液的使用更加重了这个问题。因为铜与氨络合﹐不容易用离子交换法或碱沈淀法除去。金属蚀刻标牌通常所指蚀刻也称光化学蚀刻（photochemicaletching），指通过***制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。所以﹐采用无铜的添加液来漂洗板子(第二次喷淋操作的方法)﹐可大大地减少铜的排出量。然后﹐再用空气刀在水漂洗之前将板面上多余的溶液去除﹐从而减轻了水对铜的蚀刻的盐类的漂洗负担。在自动蚀刻系统中,铜浓度是以比重来控制的。在印制板的蚀刻过程中﹐随着铜不断地被溶解﹐当溶解的比重不断升高至超过一定的数值时﹐系统便会自动补加氯化铵和氨的水溶液﹐使比重调整回合适的范围。化学蚀刻（Chemicaletching）--气态物质（中性原子团）与表面反应，产物必定易挥发，也称为等离子蚀刻。等离子增强蚀刻(Ion-enhancedetching)—单独使用中性原子团不能形成易挥发产物，具有一定能量的离子改变衬底或产物；具有一定能量的离子改变衬底或产物层，这样，化学反应以后能生成挥发性物质，亦称为反应离子蚀刻（RIE）。溅射蚀刻（Sputteretching）--具有一定能量的离子机械的溅射衬底材料。蚀刻速率（Etchrate）--材料的剥离速率，通常以?/min，?/sec，nm/min,um/min为单位计量。2、这些金属铭牌蚀刻技术方面的书籍近几年倒是出过几本，但书里列举的加工配方和工艺都是学校里教学的风格，不切合实际生产情况。各向同性蚀刻（Isotropicetch）--蚀刻速率在所有方向都是相同的。)