导致靶面各单元的电阻值不同。与较亮像素对应的靶单元阻值较小，与较暗像素对应的靶单元阻值较大，这样一幅图像上各像素的不同亮度就表现为靶面上各单元的不同电阻值，原来按照明暗分布的“光像”就变成了相应的“电像”。从电子枪阴极发出的电子，在电子枪电场作用下高速射向靶面，并在偏转磁场作用下按照扫描规律扫过靶面上的各个单元。N型半导体中自由电子浓度较高，因此自由电子由N型半体向P型半导体扩散，同样的空穴会由P型半导体向N型半导体扩散。当电子束接触到靶面某个单元时，使阴极、光电靶、负载电阻RL及电源E构成一个回路。半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。载流子就是由半导体原子逸出来的电子及其留下的空位-----空穴。电从原子中逃逸出来,必须吉凶服原子的束缚而做功，而光照正是向电子提供能量,使它有能力逃逸出来的一种形式。因此，光照可以改变载流子的浓度,从而必变半导体的电导率。光电导器件主要有光敏电阻、光电二极管光电三极管等。1、光敏电阻这是一种半导体电阻。若将N型半导体及P型半导体接和在一起，会因为两边自由电子与空穴的浓度不同产生扩散。在没有光照时,电阻很大;在一定波长范围的光照下,电阻值明显变小。但和普通二极管不同,光电二极管是在反向电压下工作的。它的暗电流很小，只有0-1微安左右。在光线照射下产生的电子----空穴对叫光生载流子，它们参加导电会增大反向饱和电流。光生载流子的数量与光强度有关，因此，反向饱和电流会随着光强的变化而变化，从而可以把光信号的变化转为电流及电压的变化。在负载RL中有电流流过，其电流大小取决于光电靶在该单元的电阻值大小。光电二极管主要用于近红外探测器及光电转换的自动控制仪器中，还可以作为光导纤维通信的接1收器件。)