现今PowerMOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。负载电感配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通。7、测量配置7.1示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；7.2高速电流探头；7.3高压差分探头。8、测试参数应包括8.1开通：turnon(tdon,tr,di/dt,Ipeak,Eon,Pon)；8.2关断：turnoff(tdoff,tf,Eoff,Ic,Poff)；8.3反向***(Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；8.4栅电荷：采用恒流驱动，电流可调范围：0～100mA；8.5短路（1200Ａmax）；8.6雪崩；8.7NTC(模块)测试：0-20KΩ；8.8主要测试参数精度偏差：安全工作区测试负载电感?电感量1mH、10mH、50mH、100mH?电流通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）?瞬态电压大于10kV?负载电感配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通；自动切换开关参数性能需求与电感要求相匹配。5）补充充电回路限流电感限制充电回路中的di/dt。?电感量100μH?电流能力6000A（5ms）?瞬时耐压10kV?工作温度室温～40℃?工作湿度9）尖峰***电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?分布电感小于10nH?脉冲电流2kA?工作温度室温～40℃?工作湿度)