（2）主要技术参数1）基本参数功率源：5000V1200A2）栅极-发射极漏电流IGESIGES：0.1-10uA±2%±0.01uA集电极电压VCE：0V栅极电压Vge：0-40V±3%±0.1V3）集电极-发射极电压集电极电压VCES：100-5000V±2%±10V集电极电流ICES：0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压Vge：0V4）集电极-发射极饱和电压VCESatVCESat：0.2-5V栅极电压Vge：±15V±2%±0.2V集电极电流ICE：10-1200A±2%±1A5）集电极-发射极截止电流ICES集电极电压VCE：100-5000V±3%集电极电流ICES：0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压VGE：0V6）栅极-发射极阈值电压VGEth：1-10V±2%±0.1VVce：12V集电极电流ICE：30mA±3%7）二极管压降测试VF：0-5V±2%±0.01VIF：0-1200A±2%±1AVge：0V目的和用途该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能。1.2测试对象IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon：10W～250kW2.2反向***技术条件测试参数：1、Irr(反向***电流)：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、Qrr(反向***电荷)：1～1000uC1～50uC±5%±0.1uC50～200uC±5%±1uC200～1000uC±5%±2uC3、trr(反向***时间)：20～2000ns20～100±5%±1ns100～500±5%±2ns500～2000±3%±5ns4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ0.5～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～200mJ±5%±1mJ200～1000mJ±5%±2mJ测试条件：1、正向电流IFM：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、-di/dt测量范围：200～10000A/us3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V4、dv/dt测量范围：100～10000V/us开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，计算机控制接通开关S1,并控制输出被测双脉冲触发信号，开通和关断被测器件两次，被测器件次开通后，集电极电流IC上升，直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时，关断被测器件(设为t1时刻)，之后电感L经二极管（Q1内部二极管）续流，IC迅速减小，直至IC降为零时，第二次开通被测器件(设为t2时刻)，此后电感L中的电流向IC转移，IC迅速上升(若L足够大，t1～t2间隔足够短，L中的电流可视为恒流），直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻)，关断被测器件。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之间的导通波形，其中，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格。)