uv光氧化设备许多学者经过引进不同的金属离子或半导体对UV光催化剂进行改性以提高其活性和光敏性。在uv光氧化设备中掺杂过渡族金属和掺杂氮元素对其进行改性进步TiO2的光敏性，掺杂的过渡族金属例如V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu使得吸收光的波段得到扩展。,1995)，其中被广泛应用与uv光氧化设备的催化剂是TiO2和ZnO，研讨发现这类催化剂能使空气中的多种碳氢化合物被氧化分化，这些金属氧化物的活性次序是：TiO2gt。经过掺杂低浓度的WO3（4wt.%)能够使锐钛矿型的TiO2有用的使用可见光和紫外光进行家苯的分化，光敏处理可使uv光氧化设备半导体具有更大的呼应光频，加速了电子传递来改进光催化反响。发现TiO2能够掺杂金属离子和一些半导体进行改性，TiO2晶格内掺杂的元素能够有用的重建载体，加速电子的搬迁速率，以0.1-0.5%的摩尔分率参加Fe3,MO5,RU3,OS3,Re5,V4,和Rh3能够显着的进步UV光催化剂的氧化和去除能力，可是Co3和Al3的参加使得UV光催化剂的活性下降。在2003年发现Pd/TiO2催化剂在紫外线下对家苯蒸汽的去除效果比单纯用TiO2进步许多，可是Pd的效果主要是避免催化剂活性的下降而不是进步其原有活性。uv光氧化设备TiO2中参加镧系金属（La3,Eu3,Pr3,Nd3,***3）能够有用地进步催化剂外表的化学和物理吸附有机物的功能[10]。在uv光氧化设备进程中，即相对湿度较高时，由于在反响进程中水蒸气和污染物在催化剂外表发作竞赛性吸附，因湿度的添加，污染物在催化剂外表的吸附量削减，光催化反响去除率下降，该阶段称为竞赛吸附操控进程。LindaZou和YonggangLuo发现SiO2–TiO2的活性高于TiO2，而且比TiO2失活的速度较慢。二元的氧化剂比二氧化钛也有更高的家苯吸附容量。uv光氧化设备)