式中：R＇——单位长度电缆导体在θ℃温度下的直流电阻；A——导体截面积，如导体右n根相同直径d的导线扭合而成，A=nπd2/4;ρ20——导体在温度为20℃时的电阻率，对于标准软铜ρ20=0.017241Ω?mm2/m：对于标准硬铝：ρ20=0.02864Ω?mm2/m；α——导体电阻的温度系数（1/℃）；对于标准软铜：=0.00393℃-1；对于标准硬铝：=0.00403℃-1；k1——单根导线加工过程引起金属电阻率的增加所引入的系数。一般为1.02-1.07（线径越小，系数越大）；具体可见《电线电缆手册》表3-2-2；k2——用多根导线绞合而成的线芯，使单根导线长度增加所引入的系数。对于实心线芯，=1；对于固定敷设电缆紧压多根导线绞合线芯结构，=1.02（200mm2以下）～1.03（240mm2以上）k3——紧压线芯因紧压过程使导线发硬、电阻率增加所引入的系数（约1.01）；k4——因成缆绞合增长线芯长度所引入系数，对于多芯电缆及单芯分割导线结构，（约1.01）；]k5——因考虑导线允许公差所引入系数，对于紧压结构，约1.01；对于非紧压型，k5=[d/(d-e)]2（d为导体直径，e为公差）。20℃导体直流电阻详见下表（点击放大）：以上摘录于《10(6)kV～500kV电缆技术标准》（Q∕GDW371-2009）。2.2导体的交流电阻在交流电压下，线芯电阻将由于集肤效应、邻近效应而增大，这种情况下的电阻称为有效电阻或交流电阻。电缆线芯的有效电阻，国内一般均采用IEC-287推荐的公式:R=R′(1YSYP)R——蕞高工作温度下交流有效电阻，Ω/m；R′——蕞高工作温度下直流电阻，Ω/m；YS——集肤效应系数，YS=XS4/(1920.8XS4)，XS4=（8πf/R′×10-7kS）2；YP——邻近效应系数，YP=XP4/(1920.8XP4)(Dc/S)2{0.312(Dc/S)21.18/[XP4/(1920.8XP4)0.27]}，XP4=（8πf/R′×10-7kP）2。XS4——集肤效应中频率与导体结构影响作用；XP4——邻近效应中导体相互间产生的交变磁场影响作用；f——频率；Dc——线芯直径，m；S——线芯中心轴间距离，m；ks——线芯结构常数，分割导体ks=0.435，其他导体ks=1.0；kp——线芯结构系数，分割导体kp=0.37，其他导体kp=0.8~1.0；对于使用磁性材料制做的铠装或护套电缆，Yp和Ys应比计算值大70%，即:R=R′[11.17(YSYP)]3.电缆的电鳡3.1自鳡则单位长度线芯自鳡：Li=2W/(I2L)=μ0/(8π)=0.5×10-7Li——单位长度自鳡，H/m；μ0——真空磁导率，μ0=4π×10-7，H/m；以上一般是实心圆导体，多根单线规则扭绞导体如下表：因误差不大，计算一般取Li=0.5×10-7H/m。3.2高压及单芯敷设电缆电鳡对于高压电缆，一般为单芯电缆，若敷设在同一平面内（A、B、C三相从左至右排列，B相居中，线芯中心距为S），三相电路所形成的电鳡根据电磁理论计算如下：对于中间B相：LB=Li2ln(2S/Dc)×10-7(H/m)对于A相：LA=Li2ln(2S/Dc)×10-7-α(2ln2)×10-7(H/m)对于C相：LC=Li2ln(2S/Dc)×10-7-α2(2ln2)×10-7(H/m)实际计算中，可近似按下式计算：LA=LB=LC=Li2ln(2S/Dc)×10-7(H/m)同时，经过交叉换位后，可采用三段电缆电鳡的平均值，即：L=Li2ln(2×(S1S2S3)1/3/Dc)×10-7(H/m)=Li2ln(2×21/3S/Dc)×10-7(H/m)对于多根电缆并列敷设，如果两电缆间距大于相间距离时，可以忽略两电缆相互影响。5.电抗、阻抗及电压降由公式X=ωL得到电抗：X=2πf×0.632×10-3=0.199Ω由公式Z=（R2X2）1/2得到阻抗：Z=（0.869920.1992）1/2=0.8924Ω由公式△U=IZl得到电压降为：△U=500×0.8924Ω=374.8V6.电容由公式C=2πε0ε/ln(Di/Dc)得到单位长度电容：C1=2×3.14×8.86×10-12×2.5/Ln(65/30)=0.179×10-6F/m该电缆总电容为C=0.179×10-6×2300=0.411×10-3F1.电缆沟（隧道）土石方工程1.1电缆沟（隧道）基坑开挖工艺标准（1）根据相关部门批准的路径图，对基坑中心位置及外轮廓进行***、放样。（2）基坑底部施工面宽度为排管横断面设计宽度并两边各加500mm，便于支模及设置基坑支护等工作。)