这类原材料已在金属封装中获得普遍应用，如美国Sinclair企业在电力电子器件的金属封装中应用Glidcop替代无氧运动高导铜做为底座。以便降低瓷器基板上的地应力，设计师可以用好多个较小的基板来替代单一的大基板，分离走线。美国Sencitron企业在TO-254气密性金属封装中应用陶瓷绝缘子与Glidcop导线封接。金属金属表面处理CNC加工刚开始前，必须建模与程序编写。三d建模的难度系数由产品品种决策，构造繁琐的商品建模较难，必须程序编写的工艺流程也大量、更繁杂。金属基高分子材料金属封装是选用金属做为罩壳或底座，集成ic立即或根据基钢板安裝在机壳或底座上，导线越过金属罩壳或底座大多数选用夹层玻璃—金属封接技术性的一种电子封装方式。它普遍用以混和电源电路的封裝，主要是和订制的专用型气密性封裝，在很多行业，尤其是在及航天航空行业获得了普遍的运用。为解决金属表面处理，各类封装也大多使用金属作为热沉和散热片。为了提高铜的退火点，可以在铜中加入少量Al2O3、锆、银、硅。这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料，也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料。可伐可伐合金(Fe-29Ni-17Co，中国牌号4J29)的CTE与Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的CTE较为接近，具有良好的焊接性、加工性，能与硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金属封装中得到广泛的使用。但由于其热导率低，电阻率高，密度也较大，使其广泛应用受到了很大限制。Cu／W和Cu／Mo为了降低Cu的CTE，可以将铜与CTE数值较小的物质如Mo、W等复合，得到Cu／W及Cu／Mo金属-金属复合材料。这些材料具有高的导电、导热性能，同时融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根据组元相对含量的变化进行调整，可以用作封装底座、热沉，还可以用作散热片。金属表面处理原材料工作人员在这种原材料基本上科学研究和开发设计了很多种多样金属基复合材料(MMC)，他们是以金属(如Mg、Al、Cu、Ti)或金属间化学物质(如TiAl、NiAl)为常规，以颗粒物、晶须、涤纶短纤维或持续化学纤维为提高体的一种复合材料。可伐可伐铝合金(Fe-29Ni-17Co，我国型号4J29)的CTE与Si、GaAs及其Al2O3、BeO、AIN的CTE比较贴近，具备优良的电焊焊接性、工艺性能，能与硼硅硬夹层玻璃配对封接，在低功率的金属封裝中获得普遍的应用。但因为其导热系数低，电阻高，相对密度也很大，使其广泛运用遭受了挺大限定。以便降低瓷器基板上的地应力，设计师可以用好多个较小的基板来替代单一的大基板，分离走线。退火的纯铜因为物理性能差，非常少应用。冷作硬化的纯铜尽管有较高的抗拉强度，但在机壳生产制造或密封性时不高的溫度便会使它退火变软，在开展机械设备冲击性或稳定瞬时速度实验时导致机壳底端形变。它的热导率为401W(m-1K-1)，从传热的角度看，作为封装壳体是非常理想的，可以使用在需要高热导和／或高电导的封装里，然而，它的CTE高达16．5×10-6K-1，可以在刚性粘接的陶瓷基板上造成很大的热应力。)