电光调制器的设计与选择调制晶体对电光调制的效果影响显著，在选择晶体时应注意以下几点：光学性能好，折射率均匀，吸收色散损耗小，透明度高，电光系数大，物理性能优越等等。电光调制器电光调制器作为光纤链路里必不可少的器件，其性能的优略严重影响着系统信号的发射和接收。目前较常用的晶体材料包括铌酸锂和KDP类晶体，由于KDP类晶体的物理性能不佳，容易发生潮解，因此其调制性能往往受到环境限制，而铌酸锂晶体则具有优越的透光性和物理性能，是电光调制晶体设计的理想材料。想了解更多关于电光调制器的相关资讯，请持续关注本公司。电光调制器的物理基础光波在介质中的传播规律受到介质折射率分布的制约，而折射率的分布又与其介电常量（电容率）密切相关。按调制的性质而言,激光调制与无线电波调制相类似,可以采用连续的调幅,调频,调相以及脉冲调制等形式,但激光调制多采用强度调制。晶体折射率可用施加电场E的幂级数表示，即或写成式中，γE是一次项，由该项引起的折射率变化，称为线性电光效应或泡克耳斯(Pockels)效应；由二次项bE2引起的折射率变化，称为二次电光效应或克尔（Kerr）效应。对于大多数电光晶体材料，一次效应要比二次效应显着，可略去二次项。期望大家在选购电光调制器时多一份细心，少一份浮躁，不要错过细节疑问。想要了解更多电光调制器的相关资讯，欢迎拨打图片上的***电话！！！电光调制器的应用在电通信系统中,原始率数字信号电平的峰-峰值只有0.8V。在外加调制信号时，介质的折射率在信号电场的作用下由于电光效应而产生变化，当光载波进入调制器后这种变化后将引起光载波的相位、振幅或频率上的变化。因为数据率大于2.5Gb/s的铌酸锂调制器的半波电压(Vp)较高，故都需要用驱动器来推动调制器。驱动器不仅要有很宽的工作频带，并且要能提供足够大的微波输出功率。例如：对于10Gb/s、Vp=5.5V的调制器，需要驱动器具有75KHz到8GHz的工作频带及20dBm(100mW)的1dB输出功率。制作率的驱动器是非常困难的，因此制作具有低Vp的调制器是很受欢迎的。电光调制器铌酸锂电光相位调制器具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压、高损伤光功率等特点，主要用于高速光通信系统中光啁啾控制，相干通信系统中的相移，ROF系统中边带的产生以及减小模拟光纤通信系统中的受激布理渊散射(SBS)等领域。)