（2）主要技术参数1）基本参数功率源：5000V1200A2）栅极-发射极漏电流IGESIGES：0.1-10uA±2%±0.01uA集电极电压VCE：0V栅极电压Vge：0-40V±3%±0.1V3）集电极-发射极电压集电极电压VCES：100-5000V±2%±10V集电极电流ICES：0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压Vge：0V4）集电极-发射极饱和电压VCESatVCESat：0.2-5V栅极电压Vge：±15V±2%±0.2V集电极电流ICE：10-1200A±2%±1A5）集电极-发射极截止电流ICES集电极电压VCE：100-5000V±3%集电极电流ICES：0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压VGE：0V6）栅极-发射极阈值电压VGEth：1-10V±2%±0.1VVce：12V集电极电流ICE：30mA±3%7）二极管压降测试VF：0-5V±2%±0.01VIF：0-1200A±2%±1AVge：0V表格12动态参数测试部分组成序号组成部分单位数量1可调充电电源套12直流电容器个83动态测试负载电感套14安全工作区测试负载电感套15补充充电回路限流电感L个16短路保护放电回路套17正常放电回路套18高压大功率开关个59尖峰***电容个110主回路正向导通晶闸管个211动态测试续流二极管个212安全工作区测试续流二极管个313被测器件旁路开关个114工控机及操作系统套115数据采集与处理单元套116机柜及其面板套117压接夹具及其配套系统套118加热装置套119其他辅件套12.2反向***技术条件测试参数：1、Irr(反向***电流)：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、Qrr(反向***电荷)：1～1000uC1～50uC±5%±0.1uC50～200uC±5%±1uC200～1000uC±5%±2uC3、trr(反向***时间)：20～2000ns20～100±5%±1ns100～500±5%±2ns500～2000±3%±5ns4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ0.5～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～200mJ±5%±1mJ200～1000mJ±5%±2mJ测试条件：1、正向电流IFM：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、-di/dt测量范围：200～10000A/us3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V4、dv/dt测量范围：100～10000V/us)