含硅光刻胶为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀[2]。为此，研发了含Si的光刻胶，这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作Underlayer），其对光是不敏感的。***显影后，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到Underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer，具有较高的刻蚀选择性[2]。含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的，例如硅氧烷，，含Si的树脂等以上就是关于光刻胶的相关内容介绍，如有需求，欢迎拨打图片上的***电话！如何选购光刻胶？光刻加工工艺中为了图形转移，辐照必须作用在光刻胶上，通过改变光刻胶材料的性质，使得在完成光刻工艺后，光刻版图形被在圆片的表面。而加工前，如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是的，但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑，需要对光刻胶进行合理的选择。划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在***之后，被浸入显影溶液中。在显影过程中，正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下，未***的区域保持不变。负性光刻胶正好相反，在显影剂中未***的区域将溶解，而***的区域被保留。正性胶的分辨力往往是的，因此在IC制造中的应用更为普及，但MEMS系统中，由于加工要求相对较低，光刻胶需求量大，负性胶仍有应用市场。以上就是为大家介绍的全部内容，希望对大家有所帮助。如果您想要了解更多光刻胶的知识，欢迎拨打图片上的***联系我们。光刻胶分类1、负性光刻胶主要有聚酸系(聚酮胶)和环化橡胶系两大类，前者以柯达公司的KPR为代表，后者以OMR系列为代表。2、正性光刻胶主要以重氮醒为感光化台物，以酚醛树脂为基本材料。的有AZ-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。3、负性电子束光刻胶为含有环氧基、乙烯基或环硫化物的聚合物。的是COP胶，典型特性:灵敏度0.3~0.4μC/cm^2(加速电压10KV时)、分辨率1.0um、对比度0.95。限制分辨率的主要因素是光刻胶在显影时的溶胀。4、正性电子束光刻胶主要为甲酯、烯砜和重氮类这三种聚合物。的是PMMA胶，典型特性:灵敏度40~80μC/cm^2(加速电压20KV时)、分辨率0.1μm、对比度2~3。PMMA胶的主要优点是分辨率高。主要缺点是灵敏度低，此外在高温下易流动，耐干法刻蚀性差。想要了解更多光刻胶的相关内容，请及时关注赛米莱德网站。光刻胶分类根据化学反应机理和显影原理的不同，光刻胶可以分为负性胶和正性胶。对某些溶剂可溶，但经***后形成不可溶物质的是负性胶;反之，对某些溶剂不可溶，经***后变成可溶的为正性胶。从需求端来看，光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶。其中，半导体光刻胶的技术壁垒较高。想要了解更多赛米莱德的相关信息，欢迎拨打图片上的***电话！)