华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。1V-30V～30VQg栅极电荷400~20000nCIg:0～50A±3%±0。GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB13869-2008用电安全导则GB19517-2004***电器设备安全技术规范GB4208-2008外壳防护等级（IP代码）（IEC60529：2001，IDT）GB/T191-2008包装储运图示标志GB/T15139-1994电工设备结构总技术条件GB/T2423电工电子产品环境试验GB/T3797-2005电气控制设备GB/T4588.3-2002印制板的设计和使用GB/T9969-2008工业产品使用说明书总则GB/T6988-2008电气技术用文件的编制GB/T3859.3半导体变流器变压器和电抗器GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数,所有小电流指标保证1%重复测试精度,大电流指标保证2%以内重复测试精度。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估，通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；14）工控机及操作系统用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：。可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。?航空、电子信息等领域——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；?机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对?现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；?水力、电力控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新?型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，?以确保出厂产品的稳定性、可靠性。?优势行业：电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。安全工作区测试负载电感?电感量1mH、10mH、50mH、100mH?电流通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）?瞬态电压大于10kV?负载电感配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通；自动切换开关参数性能需求与电感要求相匹配。5）补充充电回路限流电感限制充电回路中的di/dt。?电感量100μH?电流能力6000A（5ms）?瞬时耐压10kV?工作温度室温～40℃?工作湿度)