测试参数：ICES集电极-发射极漏电流IGESF正向栅极漏电流IGESR反向栅极漏电流BVCES集电极-发射极击穿电压VGETH栅极-发射极阈值电压VCESAT集电极-发射极饱和电压ICON通态电极电流VGEON通态栅极电压VF二极管正向导通压降整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。Eon、Eoff开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0。测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。?可移动型仪器，使用方便，测试简单快速，立即提供测试结果与数值。?适用的半导体元件种类多，尤其能测大功率元件。?用户能确实掌握新采购元件的质量，避免用到瑕疵或品。?完全由计算机控制、快速的设定参数。?适用于实验室和老化筛选的测试。?操作非常简单、速度快。?完全计算机自动判断、自动比对。3.6VCES集射极截止电压0~5000V集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集电极电压VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7ICES集射极截止电流0.01～50mA集电极电压VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；集电极电流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)饱和导通压降0.001～10V集电极电流ICE：0-1600A集电极电压VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V栅极电压Vge：5～40V±1%±0.01V集电极电流ICE：0～100A±1%±1A；操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能。100～1600A±2%±2A；*3.9Iges栅极漏电流0.01～10μA栅极漏电流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性测试0.1～5V二极管导通电压Vf：0.1～5V±1%±0.01V电流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A；主要参数测试范围精度要求测试条件Vce集射极电压150～3300V150～500V±3%±1V；500～1000V±2%±2V；1000～3300V±1%±5V；150～3300VIc集射极电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200AVge栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；0～30V±1%±0.1V-30V～30VQg栅极电荷400~20000nCIg:0～50A±3%±0.1mA;400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；Eon、Eoff开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；50～200mJ±2%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ；)