3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V,1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5VGE(th)栅极阈值电压0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；卖方所提供的元件，必须是经过检验合格的器件，否则，买方有权拒付货款。解析度：0.01V集电极电流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；公司拥有一批长期从事自动控制与应用、计算技术与应用、微电子技术、电力电子技术方面的人才。买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。公司装备精良，具有***的检测手段，产品生产严格按照ISO9001∶2008标准质量管理体系运行，其品质、技术及工艺方面保持国内，部分产品达到国外同类产品的***水平。产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业，部分产品出口到欧美等发达***。2.2反向***技术条件测试参数：1、Irr(反向***电流)：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、Qrr(反向***电荷)：1～1000uC1～50uC±5%±0.1uC50～200uC±5%±1uC200～1000uC±5%±2uC3、trr(反向***时间)：20～2000ns20～100±5%±1ns100～500±5%±2ns500～2000±3%±5ns4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ0.5～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～200mJ±5%±1mJ200～1000mJ±5%±2mJ测试条件：1、正向电流IFM：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、-di/dt测量范围：200～10000A/us3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V4、dv/dt测量范围：100～10000V/us)