光电探测器工作原理光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即Eglt;hv，则价带电子可以跃迁到导带形成光电流。一定要使入射通量的变化中心处于检测器件光电特性的线性范围内，以确保获得良好的线性输出。当光在半导体中传输时，光波的能量随着传播会逐渐衰减，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收的吸收为本征吸收，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同，光电探测器可分为两大类：一类是光子探测器。但是对于硅材料，由于其是间接带隙材料，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。直接带隙材料的吸收边比间接带隙材料陡峭很多，如图画出了几种常用半导体材料(如GaAs、InP、InAs、Si、Ge、GaP等材料)的入射光波长和光吸收系数、渗透深度的关系。光电探测器原理--应用光电探测器是一种能够将光辐射转换成电量的一个器件，它利用这个特性可以进行显示及控制的功能。光电探测器种类繁多，不胜枚举。原则上讲，只要受到光照射后其物理性质会发生变化的任何材料都可以用来制作光电探测器。光伏型是根据光生伏应制成，即当光照射PN结时，会使PN结两端产生电势差。现在广泛使用的光电探测器是利用光电效应工作的，光电效应分为两类：内光电效应和外光电效应。它的用途比较广泛，主要应用在军事及国名经济的各个领域上。光电探测器的概述光电子件：光电管与光电倍增管是典型的光电子发射型（外光电效应）探测器件。其主要特点是，稳定性好，响应速度快和噪声小，是一种电流放大器件。其主要特点是灵敏度高，稳定性好，响应速度快和噪声小，是一种电流放大器件。尤其是光电倍增管具有很高的电流增益，特别适于探测微弱光信号；但它结构复杂，工作电压高，体积较大。光电倍增管一般用于测弱辐射而且响应速度要求较高的场合，如人造的激光测距仪、光雷达等。CdS和硒化镉CdSe光敏电阻是可见光波段用得的两种光敏电阻；硫化铅PbS光敏电阻是工作于大气个红外透过窗口的主要光敏电阻，室温工作的PbS光敏电阻响应波长范围1.0～3.5微米，峰值响应波长2.4微米左右；锑化铟InSb光敏电阻主要用于探测大气第二个红外透过窗口，其响应波长3～5μm；碲镉器件的光谱响应在8～14微米，其峰值波长为10.6微米，与CO2激光器的激光波长相匹配，用于探测大气第三个窗口（8～14微米）。应用光电探测器件的应用选择，探测器结构实际上是应用时的一些事项或要点。)