光电探测器工作原理光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即Eglt;hv，则价带电子可以跃迁到导带形成光电流。由于它们的禁带宽度很窄，因此在室温下，热激发足以使导带中有大量的自由载流子，这就大大降低了对辐射的灵敏度。当光在半导体中传输时，光波的能量随着传播会逐渐衰减，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收的吸收为本征吸收，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。这种情况主要是选择响应时间短或上限频率高的器件，但在电路上也要注意匹配好动态参数。但是对于硅材料，由于其是间接带隙材料，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。直接带隙材料的吸收边比间接带隙材料陡峭很多，如图画出了几种常用半导体材料(如GaAs、InP、InAs、Si、Ge、GaP等材料)的入射光波长和光吸收系数、渗透深度的关系。光电探测器有些情况下，不仅需要很高的响应度，还需要很高的量子效率，否则会引入额外的量子噪声。这可以用来探测光的压缩态，也会影响单光子探测器的光子探测概率。当探测激光二极管中发出的强发散光束时，需要考虑探测器的有源区大小。如果光源具有很大并且变化的光束发散角，很难在有源区全部探测到这些光。6微米,与CO2激光在激光波长,是用来检测大气第三窗口(8~14微米)。这时可以采用一个积分球来测量总功率。光电探测光电探测技术利用光源在目标和背景上的反射或目标、背景本身辐射电磁波的差异来探测、识别目标并对它们进行跟踪、瞄准。光电探测设备与电子、雷达、声、磁等探测装备相辅相成，互为补充，各有特点，共同组成一个完整的战略、***侦察探测体系。目前，光电探测主要分为可见光探测、微光探测、红外探测、激光侦察、光电综合探测、光电探测、机载光电探测、舰载光电探测和车载光电探测等多种。值得指出的是，灵敏度高不一定就是输出电流大，而输出电流大的器件有大面积光电池、光敏电阻、雪崩光电二极管和光电三极管。光电探测装备的主要优点是成像分辨率高，提供的目标图像清晰；大都是被动探测装备，隐蔽性好，不容易被敌方探测；如果光源具有很大并且变化的光束发散角，很难在有源区全部探测到这些光。抗干扰性能好。在强电磁对抗环境中，雷达无法工作，光电探测设备担负主要侦察任务；全天候性能好，白天和黑夜都能实施侦察探测。军事侦察对光电探测装备提出的主要性能要求是重量轻、作用距离远、探测和分辨能力强、全天候性能好、功耗低、抗干扰性能好、环境适应性强、生存能力强、价格合理)