真空镀膜技术一般分为两大类，即物***相沉积（PVD）技术和化学气相沉积（CVD）技术。物***相沉积技术是指在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子或使其离化为离子，直接沉积到基体表面上的方法。制备硬质反应膜大多以物***相沉积方法制得，它利用某种物理过程，如物质的热蒸发，或受到离子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移过程。物***相沉积技术具有膜/基结合力好、薄膜均匀致密、薄膜厚度可控性好、应用的靶材广泛、溅射范围宽、可沉积厚膜、可制取成分稳定的合金膜和重复性好等优点。但是如果是指原子层尺度上的均匀度，也就是说要实现10A甚至1A的表面平整，是现在真空镀膜中主要的技术含量与技术瓶颈所在，具体控制因素下面会根据不同镀膜给出详细解释。化学组分上的均匀性：就是说在薄膜中，化合物的原子组分会由于尺度过小而很容易的产生不均匀特性，SiTiO3薄膜，如果镀膜过程不科学，那么实际表面的组分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，镀的膜并非是想要的膜的化学成分，这也是真空镀膜的技术含量所在。相对于传统镀膜方式，真空镀膜应用属于一种干式镀膜，它的主要方法包括以下几种：真空蒸镀其原理是在真空条件下，用蒸发器加热带蒸发物质，使其气化或升华，蒸发离子流直接射向基片，并在基片上沉积析出固态薄膜的技术。溅射镀膜溅射镀膜是真空条件下，在阴极接上2000V高压电，激发辉光放电，带正电的离子撞击阴极，使其射出原子，溅射出的原子通过惰性气氛沉积到基片上形成膜层。)