测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。?可移动型仪器，使用方便，测试简单快速，立即提供测试结果与数值。?适用的半导体元件种类多，尤其能测大功率元件。?用户能确实掌握新采购元件的质量，避免用到瑕疵或品。?完全由计算机控制、快速的设定参数。?适用于实验室和老化筛选的测试。?操作非常简单、速度快。?完全计算机自动判断、自动比对。13）被测器件旁路开关被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。?半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。电流能力DC50A?隔离耐压15kV?响应时间150ms?工作方式气动控制?工作气压0.4MPa?工作温度室温～40℃?工作湿度3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路?高压充电电源：10~1500V连续可调?支撑电容：额定电压2kV?测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V?集电极电流测试设备精度：200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4）栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；?脉冲时间：40~100ms可设定)