地铁专用IGBT测试仪加工常用指南 华科IGBT测试设备
2.2反向***技术条件测试参数:1、Irr(反向***电流):50~1000A50~200A±3%±1A200~1000A±3%±2A2、Qrr(反向***电荷):1~1000uC1~50uC±5%±0.1uC50~200uC±5%±1uC200~1000uC±5%±2uC3、trr(反向***时间):20~2000ns20~100±5%±1ns100~500±5%±2ns500~2000±3%±5ns4、Erec(反向关断能量损失):0.5~1000mJ0.5~1mJ±5%±0.01mJ1~50mJ±5%±0.1mJ50~200mJ±5%±1mJ200~1000mJ±5%±2mJ测试条件:1、正向电流IFM:50~1000A50~200A±3%±1A200~1000A±3%±2A2、-di/dt测量范围:200~10000A/us3、反向关断峰值电压VRRpk:200~1000V±3%±2V4、dv/dt测量范围:100~10000V/us其中:Vcc试验电压源±VGG栅极电压C1箝位电容Q1陪测器件(实际起作用的是器件中的续流二极管)L负载电感:100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换IC集电极电流取样电流传感器DUT被测器件关断时间采用单脉冲测试,由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,开关被测器件DUT一次,被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和,同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE,记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,IC取样到示波器的CH2通道,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。4验收和测试3)验收试验应在-10~40℃环境温度下进行,验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。4)测试单元发货到买方前,卖方应进行出厂试验。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估,通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。否则,需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案,直至买方评估合格。)
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