9）尖峰***电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?分布电感小于10nH?脉冲电流2kA?工作温度室温～40℃?工作湿度（2）主要技术参数1）基本参数功率源：5000V1200A2）栅极-发射极漏电流IGESIGES：0.1-10uA±2%±0.01uA集电极电压VCE：0V栅极电压Vge：0-40V±3%±0.1V3）集电极-发射极电压集电极电压VCES：100-5000V±2%±10V集电极电流ICES：0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压Vge：0V4）集电极-发射极饱和电压VCESatVCESat：0.2-5V栅极电压Vge：±15V±2%±0.2V集电极电流ICE：10-1200A±2%±1A5）集电极-发射极截止电流ICES集电极电压VCE：100-5000V±3%集电极电流ICES：0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压VGE：0V6）栅极-发射极阈值电压VGEth：1-10V±2%±0.1VVce：12V集电极电流ICE：30mA±3%7）二极管压降测试VF：0-5V±2%±0.01VIF：0-1200A±2%±1***ge：0V3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V,1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5VGE(th)栅极阈值电压0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；解析度：0.01V集电极电流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；地铁专用IGBT测试仪批发-华科智源(推荐商家)由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司（.cn）是广东深圳,电子测量仪器的企业，多年来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在华科智源***携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创华科智源更加美好的未来。)